SK海力士V10 NAND导入晶圆键合技术——半导体混合键合设备国产化机遇简报

核心结论

SK海力士首次在NAND产品中采用晶圆键合技术，标志着混合键合技术在存储领域的应用进一步扩展。机构测算，随着AI逻辑芯片、HBM、CPO等先进封装需求爆发，2030年混合键合设备市场规模有望达到约100亿元。国产设备商正处于从0到1的突破阶段，市场份额有望持续提升。

关键信息

• SK海力士确认新一代NAND产品V10采用375层堆叠设计，是首款采用晶圆键合技术的NAND产品。
• V10 NAND每瓦性能为上代（321层V9）的2.5倍，专为AI基础设施优化。
• SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘。
• 混合键合技术通过铜-铜直接键合取代传统凸块，实现10μm以下超精细间距互连，是3D堆叠与异构集成的关键突破。
• 当前混合键合设备市场呈“海外主导、国产突破”格局：荷兰BESI约占全球70%份额；国内拓荆科技已推出量产级设备并获得重复订单，百敖化学、迈为股份设备已交付客户验证。
• 机构预计到2030年混合键合设备市场规模约100亿元。

潜在影响

• 混合键合技术在3D NAND、CIS领域已成熟应用，并加速向HBM、AI芯片、DDR6+、SoIC等高性能计算场景扩展，成为突破算力与带宽瓶颈的核心使能技术。
• 随着SK海力士等存储巨头导入晶圆键合，有望推动上游键合设备需求放量，加速国产设备在先进封装领域的导入验证。
• 后摩尔时代，先进制程成本攀升，2.5D/3D先进封装与Chiplet结构成为提升芯片性能的关键路径，混合键合设备将持续受益于AI算力扩张与资本开支增长。

关注要点

• 混合键合设备大规模量产仍需解决缺陷控制、对准精度、热管理、晶圆翘曲、材料兼容性和工艺吞吐量等挑战。
• 国产设备商在精度与稳定性上的验证进展及重复订单获取情况。
• SK海力士V10 NAND的2027年量产节奏对产业链的实际拉动效应。

关联个股

• 拓荆科技：2025年混合键合设备实现营业收入1.36亿元，占比约2%，为国产混合键合设备领先厂商。
• 精智达：正在积极布局适用于先进封装技术的半导体存储器产品测试设备。

【电报解读】SK海力士确认V10 NAND将导入晶圆键合技术，机构测算随着混合键合技术在HBM等领域加速应用，2030年相关设备市场规模有望达到100亿元，这家公司正布局用于半导体存储器产品的测试设备

电报解读

2026.08.09 19:20 星期日

Ⅱ 电报内容

【SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠 导入晶圆键合技术】《科创板日报》7日讯，SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认，其继321层V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘。

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题材解读

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混合键合技术在AI逻辑芯片、HBM、CPO等领域加速应用，2030年相关设备市场规模有望达到100亿元

先进封装已成为驱动算力持续提升的"后摩尔时代"新引擎，键合技术的性能直接决定了集成系统的上限。键合技术本身经历了从引线键合、倒装芯片、热压键合到扇出封装的演进，最终迈向混合键合时代。

混合键合通过铜-铜直接键合取代传统凸块，实现了10μm以下的超精细间距互连，在互连密度、带宽、能效和单位互连成本上带来数量级提升，是支撑3D堆叠与异构集成的关键突破。其工艺分为晶圆对晶圆和芯片对晶圆。

目前，混合键合已在3DNAND、CIS（取代TSV）等领域成熟应用，并正加速向HBM、AI芯片、DDR6+及SoIC等高性能计算场景扩展，成为突破算力与带宽瓶颈、重塑产业链价值的核心使能技术。

混合键合拥有极致互连密度与性能突破、工艺兼容性与成本优化潜力以及三维集成与异构设计灵活性等优势。然而要成功大批量生产混合键合，需要解决与缺陷控制、对准精度、热管理、晶圆翘曲、材料兼容性和工艺吞吐量等相关的挑战。

当前，混合键合设备市场呈现“海外主导、国产突破”的鲜明格局。荷兰BESI凭借在高端市场的深厚积累占据全球约70%的份额，呈现绝对龙头地位。与此同时，中国设备商正加速追赶并实现从零到一的突破：拓荆科技已推出首台量产级混合键合设备并获得重复订单，引领国产化进程；百敖化学、迈为股份的混合键合设备已交付客户并进入产业化验证阶段。在行业高景气与国家大基金重点投入的驱动下，国产设备正凭借不断提升的精度与稳定性，在3D集成与先进封装的关键赛道上快速切入，市场份额有望持续提升。

东兴证券刘航认为，混合键合技术是后摩尔时代突破算力瓶颈的关键使能技术，其需求正由AI/HPC（高性能计算）和HBM（高带宽内存）的爆发式增长强力驱动。

此外，国盛证券杨义韬指出，AI扩张驱动先进封装应用，混合键合是实现2.5D/3D先进封装的关键。生成式AI正在加速发展，超级云厂商仍保持大规模资本开支预算，对算力需求快速增长。然而摩尔定律正面临瓶颈，每先进制程节点成本正在不断攀升，未来2.5D/3D先进封装以及Chiplet结构有望成为提升芯片性能的关键路径，进一步推进摩尔定律，其中混合键合是实现2.5D/3D先进封装的关键技术，有望实现快速发展。混合键合有望在近期加速应用，包括AI逻辑芯片、HBM、CPO等领域，预计到2030年

混合键合设备市场规模约100亿元。

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拓荆科技：公司2025年实现营业收入65.19亿元，其中，PECVD系列设备实现销售收入约51.42亿元，占比约为79%；ALD系列设备实现销售收入3.01亿元，占比约为5%；混合键合设备实现营业收入1.36亿元，占比约为2%。

精智达：混合键合属于先进的半导体封装技术，公司目前正在积极布局可以适用于采用先进封装技术的半导体存储器产品的测试设备。