六氟化钨供给缺口凸显，半导体特气价格有望持续上行

核心结论

六氟化钨作为芯片薄膜沉积环节的核心前驱体材料，在AI算力需求爆发带动存储芯片大规模扩产的背景下，当前已宣布的扩产项目短期内难以填补供给缺口（建设周期长达18-24个月），机构判断该产品价格具备持续向上的确定性。相关具备六氟化钨产能的上市公司值得关注。

关键信息

• 材料地位：六氟化钨属于含氟类电子特气，是半导体制造中重要的电子特种气体；电子特气是集成电路制造仅次于硅片的第二大关键材料，占晶圆制造材料总成本的13%-15%。
• 核心用途：在CVD设备中经化学反应生成金属钨薄膜，用于填充微小孔洞、构建导电桥梁，广泛用于7纳米及以下先进逻辑芯片、HBM高带宽存储和高层数3D NAND闪存的生产制造。
• 供给缺口：根据已宣布扩产项目及下游需求综合判断，未来数年仍有供给缺口；新建产能建设周期18-24个月，短期缺口难以填补。
• AI需求驱动：HBM高带宽内存作为AI算力硬件核心载体，依靠TSV技术实现多层DRAM垂直堆叠，对深孔填充和钨栓塞制程要求极高，六氟化钨是该环节不可替代的耗材。
• 巨头扩产：三星、SK海力士、美光等存储巨头已宣布千亿美元级投资扩产计划（三星2655万亿韩元，美光1100万亿韩元），将带来六氟化钨等上游材料显著需求增量。
• 涨价逻辑：需求持续上升叠加供给收缩传导，市场供需缺口或持续放大，带来六氟化钨持续涨价的高确定性。

潜在影响

• 行业景气度：AI浪潮持续下，存储芯片扩产将直接拉动上游特气材料需求，六氟化钨供需紧张局面或延续数年。
• 价格趋势：短期供给缺口难以填补，产品价格具备持续向上动力，行业盈利水平有望改善。
• 国产替代：国内企业已具备六氟化钨规模化产能并进入全球主流供应链，在供给紧张背景下有望进一步扩大市场份额。

关注要点

• 六氟化钨市场供需变化及价格走势
• 存储大厂扩产计划的实际落地进度
• 新建产能投产节奏（18-24个月建设周期）
• 相关公司产能利用率和新增产能规划

关联个股

• 昊华科技（当日+1.14%）：所属昊华气体拥有20余种电子特气单品，其中六氟化钨产能600吨/年，产品纯度可达6N，目前根据客户需求安排生产销售。
• 中船特气（当日+0.05%）：截至2025年报告期末拥有2,000吨六氟化钨年产能，产品稳定供应台积电、美光、海力士、英飞凌、铠侠、格罗方德、中芯国际、长江存储等国内外知名集成电路客户，已成为该产品全球主流供应商。

【盘中宝】芯片制造细分环节的核心耗材，机构指出短期供给缺口难以填补，或带动这类产品价格持续向上，这家公司拥有相关产能

盘中宝

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2026.08.07 14:03 星期五

财联社资讯获悉，六氟化钨是半导体制造中重要的电子特种气体。机构指出，根据当前已宣布扩产的项目情况、及下游需求的综合判断，未来数年仍有供给缺口。且整体建设周期18-24个月，短期供给缺口难以填补，或带动价格持续向上。

一、六氟化钨是芯片薄膜沉积环节的核心前驱体材料

电子特种气体素有“半导体工业血液”之称，是集成电路制造仅次于硅片的第二大关键材料，占晶圆制造材料总成本的13%-15%。在超过110种半导体领域特气品类中，六氟化钨属于含氟类电子特气，是芯片薄膜沉积环节的核心前驱体材料。在CVD设备腔体内，六氟化钨经化学反应生成金属钨薄膜，填充微小孔洞，构建晶体管与外部电路间的导电桥梁。钨金属具备高导电率、优异的台阶覆盖能力和耐高温特性，因此被广泛用于7纳米及以下先进逻辑芯片、HBM高带宽存储和高层数3D NAND闪存的生产制造。

生成式AI算力的爆发，彻底改写了存储芯片的需求曲线。HBM高带宽内存作为AI算力硬件的核心载体，依靠硅通孔（TSV）技术实现多层DRAM垂直堆叠，对深孔填充和钨栓塞制程提出极高要求，而六氟化钨正是该环节不可替代的耗材。广发证券指出，26年AI浪潮持续，核心存储企业已开始大规模扩产，三星、SK海力士宣布千亿美元级投资扩产计划（三星为2655万亿韩元，美光为1100万亿韩元），进而将带来六氟化钨等上游材料显著需求增量。未来在需求持续上升叠加供给收缩的传导的情况下，市场供需缺口或将持续放大，进而带来六氟化钨持续涨价的高确定性。

二、相关上市公司：昊华科技、中船特气

昊华科技所属昊华气体有20余种电子特气单品，其中六氟化钨产能600吨/年，产品纯度能达到6N，目前根据客户需求安排生产销售。

中船特气截止到2025年报告期末，公司拥有2,000吨六氟化钨年产能。产品多年来稳定供应台积电、美光、海力士、英飞凌、铠侠、格罗方德、中芯国际、长江存储等国内外集成电路知名客户，客户覆盖广泛，成为该产品的全球主流供应商。

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