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【风口研报·公司】三星公布全新3D内存路线图,对该环节需求量和性能要求呈指数级增长,公司核心工艺可助力......

2026-08-05 13:19 默认源

AI Report

AI 简报

北方华创(002371)研报简报

> 来源:风口研报 | 日期:2026年8月5日

核心结论

三星公布全新3D内存路线图,带动存储芯片堆叠技术向更高层数演进,半导体刻蚀设备的需求量和性能要求呈现指数级增长。北方华创作为国内半导体设备平台型龙头,其超高深宽比刻蚀工艺可助力3DNAND扩产,叠加国产化替代与盈利改善逻辑,有望充分受益于本轮存储扩产大周期。

关键信息

  • 三星3D内存路线图:三星公布全新zHBM技术路线,有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度。与传统的HBM和AI处理器并列封装不同,zHBM将存储垂直堆叠于AI加速器之上,以缩短数据传输距离、提高带宽、提升能源效率。
  • 3D堆叠技术趋势:3D NAND目前主流产品已超200层,未来将向1000层迈进;DRAM未来亦向3DDRAM方向发展,对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长。
  • 刻蚀设备占比提升:以NAND为例,从32层提高到128层时,刻蚀设备用量占比从35%提升至48%。随着3D NAND堆叠层数增加,每层薄膜厚度要求愈发严苛,ALD与CVD协同工艺成为主流。
  • 券商盈利预测:浙商证券预计公司2026-2028年归母净利润分别为69.91/97.34/133.34亿元,同比增长27%/39%/37%。对应财务数据:2025年营收393.53亿元、归母净利润55.22亿元;2026年预计营收509.46亿元、净利69.91亿元;2027年预计营收641.43亿元、净利97.34亿元;2028年预计营收811.97亿元、净利133.34亿元。

潜在影响

  • 设备需求端:存储芯片3D堆叠层数持续提升,将直接拉动刻蚀设备、薄膜沉积设备(ALD/CVD)的需求量和性能要求,为上游半导体设备企业打开增量空间。
  • 行业供需格局:本轮存储扩产大周期下,设备环节缺货频现、涨价声不断,龙头企业在对上游供应商和下游客户的议价能力上均有望受益。
  • 公司估值层面:此前市场对公司存储敞口较小的担忧已反映在估值中,随着后续存储订单敞口不断扩大,估值中枢有望上移。
  • 国产化机遇:在存储扩产加速与国产化替代双重驱动下,国内设备厂商有望获得更多份额。

关注要点

  • 三星zHBM及3D内存路线图后续落地进展与量产节奏
  • 3D NAND向1000层迈进过程中,刻蚀设备订单的释放节奏
  • 公司超高深宽比刻蚀工艺在存储客户中的验证与扩产导入情况
  • 存储厂商资本开支变化及设备国产化率的提升速度
  • 公司2026-2028年业绩预测的兑现情况,尤其关注营收增速从2025年30.85%到2026年29.46%的衔接

关联个股

  • 北方华创(002371) 当日涨幅 +6.04%

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风险因素:下游需求不及预期。