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财联VIP专栏【电报解读】长鑫科技LPDDR6接近研发验证尾声!机构称随着英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求......
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AI 简报
长鑫科技LPDDR6接近量产前最后一步,LPDDR内存价格有望持续走高
核心结论
长鑫科技旗下长鑫存储的LPDDR6(第六代低功耗双倍数据速率内存)已接近研发验证尾声,这是量产前的重要一步。与此同时,随着英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求,LPDDR5X等内存产品供需紧张,内存报价有望持续提升。
关键信息
- 长鑫存储LPDDR6已接近研发验证尾声,量产前的重要一步。
- 今年3月已有消息称,长鑫存储在积极推进LPDDR6产品落地,已向核心客户送样,有望2026年下半年发布并实现量产导入。
- 长鑫首款LPDDR6产品设计规格:速率12800 Mbps,与SoC协同运行基础速率10667 Mbps,颗粒容量16Gb,采用1295 Ball的POP堆叠封装。
- 相比LPDDR5X,LPDDR6在低功耗设计、RAS功能上有明显优化提升。
- 长鑫科技产品全面覆盖DDR与LPDDR两大系列,提供DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流产品,拥有合肥、北京3座12英寸DRAM晶圆厂,客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo等。
- 英伟达Rubin采用LPDDR5X而非传统DDR5,随着Rubin和GB300产品在2026年逐步放量,进一步加剧LPDDR5X等存储产品供需紧张。
- 2025年第四季度LPDDR5X合约价环比上涨30%,2026年初进一步上涨20%。
潜在影响
- 长鑫科技LPDDR6量产导入后,有望提升国产DRAM在高端移动及服务器存储市场的竞争力。
- 英伟达等AI加速卡对LPDDR需求的提升,将带动LPDDR整体需求增长,内存报价有望持续上行。
- 传统DRAM产能向HBM转移导致的供应短缺,利好LPDDR相关产业链公司。
关注要点
- 长鑫科技LPDDR6后续研发验证进展及正式发布时间。
- 英伟达Rubin和GB300系列产品出货节奏及对LPDDR需求的拉动情况。
- LPDDR5X等内存合约价后续走势。
- 国内存储封装、代工等产业链环节的订单和业绩变化。
关联个股
- 深科技:全资子公司深科技沛顿已完成基于8层超薄芯片堆叠技术的LPDDR颗粒以及19nm FCCSP存储颗粒量产,在超薄晶圆切割、细间距倒装芯片焊接、超薄芯片堆叠、系统级封装等关键技术方面达到国内领先、世界先进水平。
- 汇成股份:通过战略投资合肥鑫丰科技及与华东科技合作布局DRAM封装业务,合肥鑫丰基于PoP堆叠封装工艺,能够为客户提供LPDDR存储芯片封装代工服务。
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正文
【电报解读】长鑫科技LPDDR6接近研发验证尾声!机构称随着英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求,内存报价有望持续提升,这家公司能够为客户提供LPDDR存储芯片封装代工服务
电报解读
2026.08.02 19:21 星期日
Ⅱ 电报内容
【长鑫科技LPDDR6接近研发验证尾声】财联社8月1日电,行业人士向记者透露,长鑫存储的LPDDR6(第六代低功耗双倍数据速率内存标准)已接近研发验证尾声,这是量产前的重要一步。今年3月便有市场消息称,长鑫科技旗下的长鑫存储在积极推进LPDDR6产品落地,并已向核心客户送样,有望2026年下半年发布并实现量产导入。相关信息称长鑫首款LPDDR6产品的设计规格速率为12800 Mbps,与SoC(系统级芯片)协同的运行基础速率为10667 Mbps,颗粒容量16Gb,采用1295 Ball(焊球)的POP(堆叠)封装,在低功耗设计、RAS(可靠性、可用性和可维护性)功能比LPDDR5X(LPDDR5的强化版)产品有明显优化提升。(第一财经)
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题材解读

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一、长鑫科技产品全面覆盖DDR与LPDDR两大主流系列
公开资料显示,长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业之一。根据Omdia数据,公司采取“跳代研发”策略,已完成从第一代到第四代工艺平台的量产,核心产品及工艺技术达到国际先进水平;在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。
产品端,公司全面覆盖DDR与LPDDR两大主流系列,可提供DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等当前市场主流代际产品,并依托DRAM晶圆、芯片、模组等多元化产品方案,广泛布局服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等下游市场,与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo等头部客户建立了深度合作,具备显著的产业引领优势。
长鑫存储介绍,LPDDR5/5X是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计,长鑫存储LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升,目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量,最高速率达到10667Mbps,达到国际主流水平,较上一代LPDDR5提升了66%,同时可以兼容LPDDR5,功耗则比LPDDR5降低了30%。
二、随着英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求,内存报价有望持续提升
由于人工智能扩张驱动主要存储供应商将产能导入高带宽内存产品(HBM),导致传统内存LPDDR4和LPDDR5X等产品供应短缺,2025年第四季度LPDDR5X合约价环比上涨30%,并且在2026年初进一步上涨20%。
根据集邦咨询,英伟达Rubin采用LPDDR5X而非传统DDR5产品。随着英伟达Rubin和GB300产品在2026年逐步放量,来自英伟达等AI加速卡对应的存储需求进一步加剧了LPDDR5X等存储产品供需紧张的局面。随着英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的
需求,内存报价有望持续提升。

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相关上市公司

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深科技:全资子公司深科技沛顿已完成基于8层超薄芯片堆叠技术的LPDDR颗粒以及19nm FCCSP存储颗粒量产,并且在40um 超薄晶圆隐形切割,80um细间距倒装芯片焊接,16层超薄芯片堆叠、系统级封装等关键技术达到国内领先,世界先进。
汇成股份:公司充分利用安徽合肥本地半导体产业集群红利,顺势切入存储芯片封装领域,通过对合肥鑫丰科技有限公司进行战略投资及与华东科技(苏州)有限公司建立战略合作关系的方式布局DRAM封装业务。合肥鑫丰科技有限公司基于其掌握的PoP堆叠封装工艺,能够为客户提供LPDDR存储芯片封装代工服务。
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