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【电报解读】长鑫科技LPDDR6接近研发验证尾声!机构称随着英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求......

2026-08-02 20:21 默认源

AI Report

AI 简报

长鑫科技LPDDR6接近量产前最后一步,LPDDR内存价格有望持续走高

核心结论

长鑫科技旗下长鑫存储的LPDDR6(第六代低功耗双倍数据速率内存)已接近研发验证尾声,这是量产前的重要一步。与此同时,随着英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求,LPDDR5X等内存产品供需紧张,内存报价有望持续提升。

关键信息

  • 长鑫存储LPDDR6已接近研发验证尾声,量产前的重要一步。
  • 今年3月已有消息称,长鑫存储在积极推进LPDDR6产品落地,已向核心客户送样,有望2026年下半年发布并实现量产导入。
  • 长鑫首款LPDDR6产品设计规格:速率12800 Mbps,与SoC协同运行基础速率10667 Mbps,颗粒容量16Gb,采用1295 Ball的POP堆叠封装。
  • 相比LPDDR5X,LPDDR6在低功耗设计、RAS功能上有明显优化提升。
  • 长鑫科技产品全面覆盖DDR与LPDDR两大系列,提供DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流产品,拥有合肥、北京3座12英寸DRAM晶圆厂,客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo等。
  • 英伟达Rubin采用LPDDR5X而非传统DDR5,随着Rubin和GB300产品在2026年逐步放量,进一步加剧LPDDR5X等存储产品供需紧张。
  • 2025年第四季度LPDDR5X合约价环比上涨30%,2026年初进一步上涨20%。

潜在影响

  • 长鑫科技LPDDR6量产导入后,有望提升国产DRAM在高端移动及服务器存储市场的竞争力。
  • 英伟达等AI加速卡对LPDDR需求的提升,将带动LPDDR整体需求增长,内存报价有望持续上行。
  • 传统DRAM产能向HBM转移导致的供应短缺,利好LPDDR相关产业链公司。

关注要点

  • 长鑫科技LPDDR6后续研发验证进展及正式发布时间。
  • 英伟达Rubin和GB300系列产品出货节奏及对LPDDR需求的拉动情况。
  • LPDDR5X等内存合约价后续走势。
  • 国内存储封装、代工等产业链环节的订单和业绩变化。

关联个股

  • 深科技:全资子公司深科技沛顿已完成基于8层超薄芯片堆叠技术的LPDDR颗粒以及19nm FCCSP存储颗粒量产,在超薄晶圆切割、细间距倒装芯片焊接、超薄芯片堆叠、系统级封装等关键技术方面达到国内领先、世界先进水平。
  • 汇成股份:通过战略投资合肥鑫丰科技及与华东科技合作布局DRAM封装业务,合肥鑫丰基于PoP堆叠封装工艺,能够为客户提供LPDDR存储芯片封装代工服务。