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【金融简报】三星HBM5新工艺与存储测试设备机遇

核心结论

三星电子确认下一代HBM5内存将采用2纳米GAA工艺，性能大幅提升。技术迭代驱动下，HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5-6倍，为国产存储测试设备厂商带来结构性增长机遇。国内相关公司已取得关键验证与批量销售业绩。

关键信息

• 三星HBM5技术路径确认：三星电子确认下一代HBM5内存将采用GAA结构的2纳米工艺基础芯片，其运行速度预计将比HBM4E快50%以上，并计划在HBM4（4纳米工艺）的经验基础上提前引入该先进工艺。
• HBM技术演进三大主线：
• 传输速率提升：从HBM2的2.0Gbps提升至HBM3e的8.0Gbps以上，提升约4倍。
• 堆叠层数与容量扩展：从HBM2的4-8GB容量及4/8层堆叠，演进至HBM3e的24-48GB及12层，并向16层演进。
• 通道架构升级：通道数量从8通道（HBM2）升级至16通道（HBM3/3e），并将进一步扩展至32通道（HBM4）。
• 产业链动态：
• 海外龙头量产：SK海力士HBM4已量产，HBM4e提前交付；三星2026年初获HBM4订单并启动量产；美光HBM4于2026年一季度量产。
• 国内追赶：长鑫存储预计于2027年实现HBM3e量产，正积极扩产追赶。
• 测试设备需求激增：由于HBM采用3D堆叠和逻辑芯片，其测试流程显著增加。除传统DRAM晶圆测试外，新增逻辑芯片验证和堆叠后的KGSD测试，导致测试道数从3-4道提升至15道以上。因此，HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5-6倍。

潜在影响

• 利好国产测试设备：随着国内存储大厂（如长鑫存储）扩产和高端产品（DDR5、HBM）加速迭代，国产设备商有望深度参与客户的研发与量产过程，通过积累数据与经验，逐步建立技术壁垒，加速实现存储测试设备的国产替代。
• 技术创新驱动投资：HBM等高性能存储的技术快速发展是驱动全球半导体设备市场增长的核心动能之一，特别是对先进逻辑、存储及先进封装领域的投资需求将持续旺盛。

关注要点

• 三星HBM5的量产时间表：正式量产时间及良率爬坡情况，将直接影响相关设备和材料供应链。
• 国内HBM量产进度：长鑫存储HBM3e的量产时间节点及其对国产设备的需求规模。
• 测试设备国产化验证进程：关注长川科技、精智达等公司的产品在国内主流存储厂商处的验证结果和批量订单落地情况。

关联个股

• 长川科技
• CP12-Memory探针台正处于客户端验证阶段。
• 精智达
• 公司探针卡产品已通过国内主要半导体存储器件厂商验证，并取得了批量销售业绩，已成为其第二供应商。

【电报解读】三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，机构测算HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍，这家公司产品已通过国内主要半导体存储器件厂商验证并取得了批量销售业绩

了批量销售业绩

电报解读

Ⅱ 电报内容

【三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺速度较HBM4E提升50%以上】财联社7月27日电，三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。具子铉称，三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。

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题材解读

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一、海外龙头陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储积极扩产HBM

自2018年HBM2量产以来，HBM已完成从HBM2、HBM2e到HBM3、HBM3e的快速迭代，并逐步向HBM4演进。HBM技术升级主要围绕传输速率提升、堆叠容量扩展和通道架构升级三条主线展开。

传输速率持续提升方面，HBM单Pin传输速率由HBM2的2.0~2.4Gbps提升至HBM3e的8.0~9.8Gbps，较初代产品提升约4倍，在保持较低功耗的同时实现带宽快速增长。

堆叠层数和容量持续扩展方面，随着DRAM工艺节点演进及3D堆叠技术成熟，HBM堆叠层数由4/8层逐步提升至12层，并进一步向16层演进，单颗容量由HBM2的4~8GB提升至HBM3e的24~48GB。

架构持续升级方面，HBM在保持1024bit超宽位宽基础上持续增加通道数量，由HBM2的8通道升级至HBM3/3e的16通道，HBM4进一步扩展至32通道，通过提升并行传输能力满足AI训练和推理对海量数据吞吐的需求。

当前，海外龙头陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储积极扩产HBM。SK海力士HBM4于2025年9月完成开发并启动量产，2026年全面放量，且HBM4e已于2026年6月向主要客户交付，早于预期三个月，预计能于2027年实现量产。三星于2026年初拿下10亿美元订单并启动量产，2026年5月底向客户率先发送12层HBM4e样品。美光科技12层HBM4已于2026一季度实现量产，预计最晚2026年底交付HBM4e样品。长鑫存储预计于2027年实现HBM3e量产，正在积极扩产追赶中。

二、HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍

据SEMI预测，2025年全球半导体设备销售额达1333亿美元，同比增长13.7%，创历史新高；2026、2027年有望进一步升至1450、1560亿美元。增长动能主要来自人工智能相关投资，覆盖先进逻辑、存储及先进封装等关键领域。

东吴证券周尔双指出，HBM本质仍属于DRAM体系，但由于引入3D堆叠结构及LogicBaseDie，其测试对象和测试内容较传统DRAM显著增加。除DRAMDie晶圆测试外，HBM还需对LogicBaseDie进行独立验证，并在3D堆叠完成后新增KGSD测试，对TSV互连、HBMStack功能及高速PHY/Interface等进行综合验证，使测试道数由传统DRAM的3–4道提升至15道以上。根据韩国存储厂商量产经验，HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍，其中KGSD新增测试环节及测试复杂度提升是驱动存储测试设备需求增长的核心因素。

其认为，随着国内存储厂持续扩产，以及DDR5、HBM等高端产品加速迭代，国产设备商有望更深度参与客户研发、验证及量产全过程，在产品迭代和良率爬坡过程中持续积累数据与经验，逐步建立自身的平台和技术壁垒，最终实现存储测试机国产替代。

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相关上市公司

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长川科技：CP12-Memory是应用于存储芯片测试的探针台，技术难度较高，研发时间相对较长，目前该产品正处于客户端验证

阶段。

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公司已基本实现半导体存储器件测试设备主要产品的全面布局，能够为客户提供系统化解决方案。公司探针卡产品已通

过国内主要半导体存储器件厂商验证并取得了批量销售业绩，公司现已成为其第二供应商。