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核心结论

拓荆科技（688072）拟通过收购无锡尚积半导体补齐PVD与刻蚀核心短板，加速向平台型设备厂商升级。当前订单储备充足，后续收入转化基础扎实，分析师看好其未来三年高速增长。

关键信息

• 事件：拓荆科技于7月10日公告拟发行股份及支付现金收购无锡尚积控股权并募集配套资金，7月13日复牌。
• 标的公司：无锡尚积聚焦特色工艺PVD与干法刻蚀，产品已覆盖功率器件、MEMS、射频芯片、先进封装等领域。2024-2025年营收从2.14亿元增至3.41亿元，净利润从0.20亿元增至0.34亿元。
• 拓荆科技现状：国内薄膜沉积设备龙头，产品广泛应用于逻辑芯片、存储芯片产线。一季度末存货账面价值82.14亿元，合同负债48.77亿元，订单储备充足。
• 分析师预测（招商证券鄢凡）：预计2026-2028年归母净利润分别约17.06亿元、25.77亿元、38.25亿元，同比增长84%、51%、48%；对应PE分别为137.8倍、91.3倍、61.5倍；每股收益分别约6.04元、9.12元、13.53元。

潜在影响

• 补齐产品线短板：收购将帮助拓荆快速补齐PVD设备品类，完善主流薄膜沉积工艺覆盖，并与现有CVD、ALD形成协同。
• 强化三维集成能力：无锡尚积的PVD及刻蚀设备可应用于RDL、TSV、TGV等三维集成核心工艺，与拓荆现有先进键合及量检测设备结合，提升成套设备交付能力及客户粘性。
• 推动平台化升级：从单一薄膜沉积龙头向综合前道设备平台厂商迈进，提升单客户价值量。

关注要点

• 交易进度与整合风险：本次交易尚需完成审批及资产交割，后续整合效果存在不确定性。
• 订单转化节奏：需关注拓荆科技在手订单的交付确认及收入转化速度。
• 行业景气度：半导体设备国产替代进程及下游晶圆厂资本开支变化可能影响公司长期成长。

关联个股

• 拓荆科技（688072）

【风口研报·事件】补齐PVD、刻蚀核心短板，分析师强call

这家半导体前道设备龙头通过收购加速平台化升级，当前订单储备及后续收入转化基础均较为充足

风口研报

2026.07.13 10:55 星期

拓荆科技（688072）精要：

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②公司是国内薄膜沉积设备龙头，产品已在国内逻辑芯片、存储芯片等主流集成电路制造产线实现规模化导入与广泛应用，当前订单储备及后续收入转化基础较为充足；

③招商证券鄂凡认为，公司收购无锡尚积将补齐PVD与刻蚀特色工艺设备能力，有望进一步完善公司薄膜沉积设备矩阵，并强化三维集成领域成套设备交付能力；

④鄢凡看好此次收购推动公司向平台型设备厂商升级，预计2026-28年实现归母净利润17.06/25.77/38.25亿元，同比增长84%/51%/48%，对应PE为137.8/91.3/61.5倍；

⑤风险因素：本次交易进度及整合不及预期。

补齐PVD、刻蚀核心短板，分析师强call这家半导体前道设备龙头通过收购加速平台化升级，当前订单储备及后续收入转化基础均较为充足

事件：7月10日，拓荆科技公告称，公司拟通过发行股份及支付现金方式收购无锡尚积半导体科技股份有限公司控股权并募集配套资金。公司股票已于7月13日开市起复牌。

今日，招商证券鄢凡深度覆盖拓荆科技，公司是国内薄膜沉积设备龙头，收购无锡尚积将补齐PVD与刻蚀特色工艺设备能力，有望进一步完善公司薄膜沉积设备矩阵，并强化三维集成领域成套设备交付能力。

公司产品已在国内逻辑芯片、存储芯片等主流集成电路制造产线实现规模化导入与广泛应用，一季度末存货账面价值82.14亿元、合同负债48.77亿元，订单储备及后续收入转化基础较为充足。

标的聚焦特色工艺PVD与干法刻蚀，与公司现有先进键合及配套量检测设备形成协同，有望推动公司完善三维集成设备产品线，

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鄢凡看好此次收购推动公司向平台型设备厂商升级，预计2026-28年实现归母净利润17.06/25.77/38.25亿元，同比增长84%/51%/48%，对应PE为137.8/91.3/61.5倍。

资料来源：公司数据、招商证券

一、无锡尚积聚焦特色工艺PVD与干法刻蚀，12英寸平台导入持续推进

无锡尚积主要面向功率器件、MEMS、射频芯片、化合物半导体、先进封装及集成电路等领域提供关键制程设备，已形成以PVD为核心、CVD与干法刻蚀协同拓展的产品布局。

产品进展方面，公司PVD设备已实现深宽比15:1以上TSV/TGV铜金属种子层沉积，2024年向头部晶圆厂交付首款12英寸PVD并陆续拓展多个应用场景，12英寸干法刻蚀设备亦已完成开发并获得客户订单。

营收方面，无锡尚积2024-25年营业收入由2.14亿元增长至3.41亿元，净利润由0.20亿元增长至0.34亿元。

产品类别 目前主要应用领域 竞争优势 代表性产品图示
①采用集群模块化真空架构，搭载自研APS调度系统，具备多MEMS、功率半导体、射频芯片、CMOS、硅光芯片、先进封装、图像传感器
②覆盖氧化钕化钕度高、客户综合使用成本低、覆盖氧化钕化钕，可实现复杂形貌结构均匀极，覆盖氧化钕化钕（VOx）薄膜、吸气剂（Getter）薄膜、碳化硅（SiC）背面金属化、TSV铜种子层沉积、氮化钽（TaN）电阻薄膜等多种特色流通工艺。
①高真空集群式平台，适配硅、碳化硅、氮化铱、玻璃等多种衬底；
MEMS、功率器件，②通过射频分区控制，低频连续脉冲及ESC分区精确控制等功能，可实现高精度、高均匀性、高选择比、低损伤等关键制蚀工艺能力；
设备、先进封装、硅光芯片
③覆盖TSV刻蚀、氮化铱（GaN）刻蚀、化合物半导体刻蚀，氮化铱（VOx）刻蚀，玻璃基片光电刻蚀等多种特色或通用工艺。

公司又行成份及人行院会购买资产开基装套管全险案。自证

二、收购有望补齐PVD关键品类，推动公司向平台型设备厂商升级

薄膜沉积设备主要包括CVD、PVD、ALD等工艺路线，公司此前优势集中在PECVD、ALD及Gap-FillCVD等方向，无锡尚积长期聚焦PVD设备研发创新，并具备刻蚀设备布局。

鄢凡指出，若交易完成公司有望快速补齐PVD产品线，完善对主流薄膜沉积工艺的覆盖。

同时无锡尚积PVD及刻蚀设备可应用于RDL、TSV、TGV等三维集成核心工艺环节，与拓荆现有先进键合及配套量检测设备形成协同，推动公司完善三维集成设备产品线，提升客户粘性与单客户价值量。

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