以下是基于原文生成的中文 Markdown 简报：

存储行业简报：三星DRAM提价，国产存储迎上行机遇

核心结论

三星电子拟将2026年第三季度DRAM平均售价环比提升20%，已口头通知部分客户。AI需求驱动存储成为核心基础设施，全球存储行业进入供不应求加速爆发期。海外原厂聚焦高附加值产品，国产存储厂商有望在行业上行周期中实现利润增长、客户加速导入与产品结构升级的正向循环。

关键信息

• 三星提价：三星计划2026年Q3 DRAM均价环比提升20%，消费电子终端厂商已收到口头通知。涨价可能传导至终端售价，但预计对用户选购影响有限。
• AI存储需求爆发：自2024年生成式AI爆发以来，HBM、DDR5及高容量NAND需求出现指数级缺口。2026年服务器DRAM占比预计超50%，服务器NAND Bit需求同比大增超60%，首次成为最大应用。
• 市场规模预测：据IDC数据，全球DRAM营收2025年突破1500亿美元后，2026年有望增至5607亿美元以上（同比增长272%）；NAND营收从2025年的671亿美元增至2026年的2890亿美元（同比增长331%）。2026年Q2后增速虽放缓，但价格有望维持高位。
• 国产存储市占率提升：2026年Q1，长江存储NAND全球市占率升至6.8%，长鑫存储DRAM全球市占率升至7.5%。国产模组厂商通过进入中高端手机、企业级市场实现规模跃升。

潜在影响

• 产业链传导：上游DRAM提价将推高整机终端售价，但当前消费电子整体价格不高，预计对需求抑制有限。
• 国产替代窗口开启：海外巨头将产能向HBM、DDR5、AI企业级SSD等高附加值领域倾斜，战略性退出传统DDR4、2D NAND等利基市场，国产存储厂商有望填补需求缺口。
• 正向循环形成：国产存储厂商进入“规模增长→客户加速导入→产品结构升级”的正向循环，市占率与利润有望双重释放。

关注要点

• 存储涨价趋势的持续性及下游需求接受度。
• 海外原厂资本开支及扩产节奏，尤其是HBM和DDR5的供给情况。
• 国产存储厂商在客户导入和产品升级方面的进展，特别是利基DRAM和2D NAND市场的替代机会。
• 终端消费电子（尤其是手机、PC）对成本上涨的传导能力。

关联个股

• 恒烁股份：DDR4产品涵盖4Gb和8Gb，速率最高达3200Mbps。公司主营大容量存储模组（NAND Flash、DRAM），出货量稳步增加，将对业绩带来一定贡献。
• 聚辰股份：拥有完整SPD产品组合，关注DDR内存技术迭代升级机会。增资的武汉喻芯专注于NAND及DRAM存储器研发。

【电报解读】三星第三季DRAM拟提价20%！分析师看好国产存储厂商在行业上行周期中有望实现利润增长-客户加速导入-产品结构升级的正向循环，这家公司相关存储产品出货量稳步增加，将对业绩带来一定贡献

电报解读

2026.07.04 10:53 星期六

Ⅱ 电报内容

【三星第三季DRAM拟提价20%厂家称已接口头通知】财联社7月4日电，昨日有消息称三星电子拟将今年第三季度DRAM（动态随机存取存储器）的平均售价，环比上一季度提高20%。“这是真的”，一家消费电子终端厂商负责人向记者表示，今年6月三星已与他们洽谈，现已收到三星关于DRAM提价的口头通知。“上游部品大幅涨价会传导至整机终端售价上，这会遏制一定的市场需求，但毕竟现在消费电子产品整体价格不高，即使涨价预计也不太会影响用户选购。”上述消费电子终端厂商负责人说。另一位业内资深人士也向记者表示，三星拟三季度DRAM提价20%的消息属实，三星已经通过口头报价通知了部分客户。（第一财经）

Ⅱ 电报解读

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题材解读

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一、存储成为了决定AI系统整体性能与上限的核心基础设施

自2024年生成式AI爆发以来，AI服务器对HBM（高带宽内存）、DDR5及高容量NAND的需求呈现指数级与结构性缺口。经历行业过往巨亏后，海外存储原厂自2023年起陆续减产，随着减产效应的深化以及AI推理需求的加速拉升，2025年下半年全球存储行业进入供不应求的加速爆发期。

当前，存储已不再是单纯的算力配套资源，而是成为了决定AI系统整体性能与上限的核心基础设施。服务器逐步超越手机成为存储需求最主要的市场，2026年服务器DRAM占比预计将超过50%，服务器NANDBit需求预计大增超60%并首次成为最大应用。

根据IDC数据，全球DRAM营收在2025年突破1500亿美元后，预计2026年市场有望增至5607亿美元以上，同比增长272%。NAND营收也有望从2025年的671亿美元增至2026年的2890亿美元，同比增长331%，预计2026年二季度后虽然环比增速有所放缓，但在AI应用持续深化与海外原厂保持谨慎扩产的双重共振下，存储价格有望维持高位。

资料来源：IDC，国信证券经济研究所整理

二、国产存储厂商在上行周期中有望实现利润增长-客户加速导入-产品结构升级的正向循环

海外巨头将资本开支与有限的晶圆产能全力向HBM、DDR5以及AI企业级SSD等高附加值领域倾斜，战略性退出传统存量市场，这为国产存储产业链打开导入“窗口期”。在2DNAND与传统DDR4利基市场，国产存储厂商有望填补需求缺口。此外，国内存储原厂与模组厂迎来“市占率提升与利润释放”的进阶期：2026一季度长江存储在NAND全球市占率升至6.8%，长鑫存储在DRAM全球市占率升至7.5%；国内模组厂商则通过进入中高端手机、企业级等市场实现规模跃升，进入“规模增长-客户加速导入-产品结

构升级”的正向循环。

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国信证券叶子认为，AI需求推升存储需求，海外原厂聚焦高附加值服务器产品，需求外溢及国产化需求打开国内企业级窗口及手机品牌渗透率提升机遇，随着产业链分工重构，国产存储厂商在上行周期中有望实现利润增长-客户加速导入-产品结构升级的正向循环。此外，随海外厂商退出，国产利基存储厂商有望填补2DNAND和利基DRAM等市场的需求红利。

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相关上市公司

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恒烁股份：公司DDR4产品涵盖主要容量4Gb和8Gb，产品速率最高可达行业DDR4最高的3200Mbps。公司表示，公司主营产品包含大容量存储模组产品（涵盖NAND Flash、DRAM等），目前出货量稳步增加，将对公司的业绩带来一定贡献。

聚辰股份：公司是业内少数拥有完整SPD产品组合和技术储备的企业，我们会及时把握DDR内存技术迭代升级带来的市场发展机遇并密切关注AI等新技术的发展方向。公司增资的武汉喻芯专注于NAND及DRAM存储器研发。