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光通信核心材料磷化铟简报

核心结论

AI资本开支加速，光通信迭代升级带动磷化铟（InP）衬底需求爆发式增长。海外产能接近满负荷且扩产周期长达2-3年，供给缺口或长期存在。国内具备量产能力的企业将迎来重大发展机遇。

关键信息

• 需求增速：Lumentum预测，到2030年AIDC对磷化铟的需求年复合增长率将达到85%。
• 供需矛盾：海外厂商产能已接近满负荷运行，扩产周期长达2-3年，无法及时满足快速增长的市场需求。当前磷化铟衬底供需缺口大，头部企业在手订单已排至2028年。
• 技术瓶颈：磷化铟单晶生长环节是核心瓶颈，单晶炉设备定制周期较长，行业扩产受限且良率普遍不高。
• 国产进展：在供需紧张和国产替代双重驱动下，国内磷化铟衬底企业具备重大发展机遇。具体产品方面，砷化镓/磷化铟晶片（衬底）已批量生产并向客户供货。

潜在影响

• 光通信产业链上游材料环节景气度提升，磷化铟衬底价格及盈利能力有望维持高位。
• 国产替代进程加速，现有产能提前锁定订单的企业将优先受益。
• 下游光模块、激光器、探测器等核心器件制造环节的供应链稳定性有望增强。

关注要点

• 海外主要磷化铟厂商产能扩张计划及实际落地时间。
• 国产企业单晶生长技术的良率提升及扩产进度。
• AI及光通信资本开支的持续性对磷化铟需求的拉动节奏。
• 相关上市公司在手订单及新客户导入情况。

关联个股

• 云南锗业：控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司的砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）均已批量生产，并已向客户批量供货。
• 南大光电：三甲基铟年产能共计5吨，其中可用于磷化铟外延生长的高纯三甲基铟年产能约为1.5吨。

【盘中宝】光通信细分领域核心材料，这类产品供给缺口或长期存在，这家公司相关产品已向客户批量供货

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2026.07.01 10:57 星期三

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财联社资讯获悉，AI资本开支增加，光通信需求增长，带来磷化铟衬底需求的高增长。Lumentum预测到2030年，AIDC对磷化铟的需求年复合增长率将达到85%。

一、海外厂商的产能已接近满负荷运行，且扩产周期长达2-3年

磷化铟（InP）是一种化合物半导体材料，在光通信领域，磷化铟始终是核心芯片材料。受益于AIGC的快速发展，光通信迭代加速，现代光通信系统依赖于高效、稳定的光源和探测器，而磷化铟基器件凭借其优异的光电性能，成为实现长距离、大容量数据传输的关键支撑。在光纤通信网络中，1.3 μm和1.55 μm波段是两个主要的低损耗传输窗口，而磷化铟的直接带隙特性使其能够高效发射和探测这两个波段的光信号，从而广泛应用于分布式反馈激光器（DFB）、电吸收调制激光器（EML）以及雪崩光电探测器（APD）等核心器件的制造。

开源证券指出，产业下游对磷化铟晶片的需求呈现快速增长的态势，但由于工艺复杂行业扩产受限且良率普遍不高，其中单晶生长环节仍是核心瓶颈，单晶炉设备定制周期也较长，磷化铟供给缺口或长期存在。国盛证券表示，可以看到，海外厂商的产能已接近满负荷运行，且扩产周期长达2-3年，无法及时满足快速增长的市场需求。当前磷化铟衬底的供需缺口大，头部企业的在手订单已排至2028年。在供需紧张和国产替代的双重驱动下，国内磷化铟衬底企业将迎来重大发展机遇。

二、相关上市公司：云南锗业、南大光电

云南锗业控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司化合物半导体材料产品砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）均已批量生产，并已向客户批量供货。

南大光电三甲基铟年产能共计5吨，其中可用于磷化铟外延生长的高纯三甲基铟年产能约为1.5吨。