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风口研报:AI 电容与先进封装驱动,高纯铝龙头景气上行
核心结论
在AI服务器供电架构升级和半导体先进封装材料国产替代的双重驱动下,上游高纯铝(尤其是高纯度5N5以上)需求有望进入景气周期。全球高纯铝龙头公司凭借规模、技术与全产业链布局优势,有望率先受益。预计2026年将是公司业绩拐点,盈利能力将显著提升。
关键信息
- AI 电容需求增长:AI机柜功率放大,带动含铝电解电容(牛角电容、固液混合电容等)用量提升,进而拉动上游电极箔和高纯铝需求。2026年6月,全产业链已开始涨价。
- 半导体与先进封装应用:5N5(99.995%)以上超高纯铝是半导体铝靶材的关键原料,广泛应用于成熟制程和先进封装(凸点、重布线层等)环节,受益于国产替代和Chiplet等封装技术普及。
- 公司龙头地位:
- 产量全球第一:公司高纯铝年产量达9.2万吨,位居全球首位。
- 技术壁垒:国内唯一同时掌握三层电解法和偏析法工艺的企业,可批量生产5N-6N超高纯铝。第四代循环偏析工艺实现降本增效。
- 产业链完善:公司业务覆盖“煤矿—氧化铝—电解铝—高纯铝—电极箔”全链条。
- 新增产能:防城港240万吨氧化铝项目预计2026年下半年投产,将进一步巩固上游原材料供应,完善产业链闭环。
- 财务预测:中信建投预计公司2026年将是业绩拐点,归母净利润有望同比大幅增长81.69%,主要得益于产品涨价和高端占比提升。
潜在影响
- 行业格局重塑:头部公司通过全产业链布局和规模优势,将在高纯铝新一轮景气周期中确立更稳固的竞争壁垒,挤压小厂商生存空间。
- AI产业链传导:AI算力中心的建设需求将从上层的GPU向中下游的供电系统、电容、乃至最上游的金属原材料进行实质性传导,带动相关材料价值量提升。
- 国产替代加速:在先进封装和成熟制程芯片国产化趋势下,对上游5N5级以上超高纯铝的需求刚性增强,掌握核心提纯技术的国内企业将替代进口份额。
关注要点
- AI服务器出货量及功率升级节奏:下游AI服务器(如英伟达GB系列、Rubin系列)的出货量和对电容器的需求强度,是直接影响上游高纯铝价格和需求量的核心变量。
- 高纯铝价格走势:关注2026年下半年开始的涨价趋势能否持续,以及毛利率的提升是否符合市场预期。
- 氧化铝项目投产进度:防城港240万吨氧化铝项目能否在2026年下半年按期、顺利投产并实现盈利,是公司完善产业链闭环、降低成本和增强盈利稳定性的关键。
- 半导体靶材市场拓展:公司超高纯铝在半导体及先进封装领域的认证进度、出货量及客户导入情况,决定了其第二增长曲线的成长空间。
关联个股
- 新疆众和
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正文
【风口研报·公司】AI电容+芯片+先进封装上游原材料,这家公司9万吨高纯材料产量居全球首位,新增项目预计2026年下半年投产完善产业链闭环
2026.06.29 10:11 星期一
风口研报

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①AI电容发展将拉动电极箔及其上游高纯铝需求,随着AI机柜功率放大,电极箔用量有望高速增长,2026年6月全产业链从铝箔到高纯铝开始涨价,高纯铝步入景气周期;
②先进封装中,凸点、重布线层、屏蔽层等环节广泛使用铝靶,随着Chiplet、3D堆叠封装普及,封装级铝靶需求快速增长;
③公司高纯铝产量9.2万吨,居全球首位,电子铝箔产能3万吨/年,高纯铝产能7.8万吨/年,公司还布局氧化铝环节,防城港240万吨氧化铝项目预计2026年下半年投产,有望进一步完善产业链闭环;
④中信建投证券王介超预计公司2026-2028年实现归母净利润12.02/18.14/22.49亿元,同比增长81.69%/50.86%/23.96%,对应PE分别为21/14/11倍;
⑤风险提示:铝价周期波动、下游AI服务器需求不及预期。
AI电容+芯片+先进封装上游原材料,这家公司9万吨高纯材料产量居全球首位,新增项目预计2026年下半年投产完善产业链闭环
AI服务器供电系统对含铝电容的依赖正在提升。中信建投指出,一次电源PSU使用牛角电容,二次电源侧较多使用固液混合铝电解电容,靠近芯片侧使用MLPC,超级电源则与BBU组成混合储能架构。
中信建投证券王介超看好新疆众和,认为AI电容发展将拉动电极箔及其上游高纯铝需求,半导体成熟制程、先进封装和国产靶材原料替代则打开5N5以上超高纯铝增量空间。
公司业务覆盖高纯铝、电子铝箔、化成箔、合金、铝制品等板块。公司高纯铝产量9.2万吨,居全球首位,电子铝箔产能3万吨/年,高纯铝产能7.8万吨/年。公司还布局氧化铝环节,防城港240万吨氧化铝项目预计2026年下半年投产,有望进一步完善“煤矿—氧化铝—电解铝—高纯铝—电极箔”产业链闭环。
王介超预计公司2026-2028年实现归母净利润12.02/18.14/22.49亿元,同比增长81.69%/50.86%/23.96%,对应PE分别为21/14/11倍。
| 2024 | 2025 | 2026E | 2027E | 2028E | |
|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入(百万元) | 7,320.95 | 7,894.39 | 8,446.88 | 9,059.21 | 9,482.91 |
| YoY(%) | 12.03 | 7.83 | 7.00 | 7.25 | 4.68 |
| 净利润(百万元) | 1,203.25 | 661.95 | 1,202.66 | 1,814.33 | 2,249.13 |
| YoY(%) | -22.94 | -44.99 | 81.69 | 50.86 | 23.96 |
| 毛利率(%) | 10.85 | 8.98 | 14.30 | 20.09 | 23.66 |
| 净利率(%) | 16.44 | 8.39 | 14.24 | 20.03 | 23.72 |
| ROE(%) | 10.92 | 5.72 | 9.63 | 13.08 | 14.44 |
| EPS(摊薄/元) | 0.77 | 0.43 | 0.77 | 1.17 | 1.45 |
| P/E(倍) | 20.81 | 37.82 | 20.82 | 13.80 | 11.13 |
| P/B(倍) | 2.29 | 2.18 | 2.02 | 1.82 | 1.62 |
资料来源:iFinD,中信建投证券
一、AI机柜功率提升拉动电容用铝箔,高纯铝需求有望进入景气周期
AI服务器供电架构升级使含铝电容用量明显提升。GB200每台机柜配置约180颗铝电解电容,GB300提升至288颗,Rubin VR200达到480颗,Rubin Ultra预计用到1000颗。对应英伟达AI服务器牛角电容用量,预计将从2025年的652.8万颗增加至2030年的8400万颗;若考虑谷歌、亚马逊等其他厂商,总用量粗略估计可达1.68亿颗左右。
图3: 电极箔产业链全景

铝锭
第一阶段:铝锭 → 高纯铝(提纯工艺)
第二阶段:高纯铝 → 电子铝箔(关键热轧)
第三阶段:电子铝箔 → 腐蚀箔(电化学扩面)
第四阶段:腐蚀箔 → 化成箔(阳极氧化)
铝电解电容器
- 核心纯度:99.99%+
- 工艺:三层液电解精炼法/偏析法
- 具有更好的导电性、延展性、反射性和抗腐蚀性
- 核心热轧:决定立方结构含量(高压铝箔要求>95%)
电子铝箔(光箔)
热轧(60-120m/min,再结晶温度以上)
- 清洗切割
- 背压:交流电腐蚀(盐酸槽液)
- 中高压:直流电腐蚀(硫酸槽液)
- 扩大表面积,提高比容;能耗占成本约25%(低压40kWh/平,中高压60kWh/平)
- 电化学腐蚀扩面:通电条件下,光箔与酸接触,形成微米级孔洞
- 低压:交流电腐蚀(盐酸槽液)
- 中高压:直流电腐蚀(硫酸槽液)
- 扩大表面积,提高比容;能耗占成本约25%(低压40kWh/平,中高压60kWh/平)
Al₂O₃介电膜
- 阳极氧化:特定槽液施加电压,表面生成Al₂O₃介电膜
- 化成技术决定耐压、比容、漏电流、寿命等
数据来源:《硬件十万个为什么——无源器件篇》,中信建投证券
除牛角电容外,超级电容、固液混合铝电解电容和MLPC同样需要铝箔材料。这些电容均涉及“高纯铝—电子光箔—电极箔”的材料链条。铝箔和高纯铝直接影响导电性、耐压、比容、漏电与寿命等关键指标。随着AI机柜功率放大,电极箔用量有望高速增长,并带动上游高纯铝需求。2026年6月全产业链从铝箔到高纯铝开始涨价,高纯铝步入景气周期。
二、5N5以上超高纯铝受益靶材国产替代,公司规模与技术壁垒突出
半导体铝靶材需求来自成熟制程和先进封装两条主线。成熟制程中,110nm以上是铝互连的主场,汽车电子、电动化带动功率器件需求;先进封装中,凸点、重布线层、屏蔽层等环节广泛使用铝靶,随着Chiplet、3D堆叠封装普及,封装级铝靶需求快速增
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|---|---|---|
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| 应用领域 | 纯度要求 | 尺寸/面积要求 |
| 半导体集成电路 | 超高纯度(≥5N5, 99.995%) | 高精度尺寸要求 |
| 平板显示器 | 高纯度(~5N, 99.999%) | 大面积靶材需求显著 |
| 太阳能电池 | 高纯度、杂质受控(≥4N5, 99.995%) | 尺寸要求相对宽松 |
资料来源:公司公告,中信建投证券
公司在该环节具备规模和技术优势。全球高纯铝年产能约30万吨,公司以9.2万吨产量居全球首位;同时,公司是国内唯一同时掌握三层电解法和偏析法工艺的企业,可批量生产5N-6N超高纯铝。其第四代循环偏析工装已实现5N5级量产,生产效率提升30%、成本降低20%。在高纯铝景气上行和高端产品占比提升背景下,公司有望受益于AI电容与半导体靶材两类增量需求。
图 7: 半导体铝靶材产业链

上游:高纯铝制备 中游:铝靶材制备工艺 下游:半导体应用环节
原料:电解铝/铝锭 1. 真空熔炼 关键技术参数 晶圆制造
(2N-3N, 99%-99.9%) 纯度:≥5N (99.999%)
防止氧化和杂质引入,真空感应熔炼 晶粒尺寸:<100μm,均匀细小 90nm及以上成熟制程芯片的导电层互连布线(Al+Ti配合)
结构:(200)择优取向,确保均匀溅射 密度:>99.5%理论密度
提纯工艺路径
电解精炼 三层 区域 熔炼 真空 蒸馏
控制铸态组织,获得优质铸锭 3. 塑性加工(轧制/锻造) 4. 退火热处理 IGBT/MOSFET金属化层
多道次变形,细化晶粒、控制织构 退火再结晶,获得均匀细小等轴晶,晶粒尺寸<100μm 焊垫(Pad)
5N (99.999%)
- 精密机加工 6. 绑定焊接 芯片/O连接层
4N (99.999%)
半导体用铝靶材要求 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓ 5N级 ✓
数据来源:公司官网,江丰电子官网,中信建投证券
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