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国内首个第四代半导体全产业链项目落地，市场前景广阔

核心结论

1. 里程碑事件：国内首个第四代半导体材料全产业链项目正式落户郑州，标志着该领域向产业化迈出关键一步。
2. 市场高增长：机构预测，全球第四代半导体衬底市场规模在未来7年（至2032年）将暴涨近5倍，年复合增长率高达24.2%，增速远超传统半导体材料。

关键信息

1. 项目详情：

• 地点：郑州高新区。
• 签约方：郑州高新区与中科粉研（河南）超硬材料有限公司。
• 项目内容：第四代半导体材料生产基地，这是国内首个该领域的全产业链项目。
• 技术基础：依托中科粉研全球首条LPPHT微纳米金刚石产线的技术积累，旨在为第四代半导体核心材料的自主研发和量产打下基础。

1. 第四代半导体核心材料：

第三代半导体之后，氧化镓和金刚石因其超宽禁带、高击穿场强及优异的极端环境稳定性，被公认为“第四代半导体”的核心材料体系。主流品类包括：

• 氧化镓：单晶衬底、外延衬底。
• 单晶金刚石：单晶衬底、CVD金刚石晶圆。
• 氮化铝：单晶衬底、高质量复合衬底。

1. 核心优势：更宽禁带、更高击穿电场、更强热稳定性、超高热导率。
2. 应用领域：功率电子、射频通信、深紫外光电、量子器件、航天极端环境电子系统等。

潜在影响

1. 补链强链：该项目将为河南在全球独具优势的超硬材料产业链补上关键一环，有望带动区域相关产业集群发展。
2. 国产替代加速：项目的落地将推动国内第四代半导体材料实现自主研发和规模量产，降低对进口的依赖，加速国产替代进程。
3. 开辟新赛道：第四代半导体性能优势显著，其产业化将有望推动高压、高频、高温等特种电子器件实现技术突破，催生新的市场增长点。

关注要点

1. 产业化进程：当前第四代半导体仍处于产业化前夜，需持续关注相关技术和材料的量产进度、成本下降曲线以及下游应用验证情况。
2. 技术路线：关注氧化镓、金刚石和氮化铝这三种主要技术路线中，哪一种能够率先实现大规模商业化应用。
3. 政策支持：关注国家及地方层面对于第四代半导体材料产业的政策扶持和资金投入情况。
4. 产业链协同：关注上游材料、中游衬底及外延、下游器件及应用等全产业链的协同发展动态。

关联个股

氧化镓方向：

• 南大光电：全球主要MO源供应商，部分产品可用于制备氧化镓。
• 三安光电：湖南三安已布局氧化镓、金刚石等第四代半导体材料的研发。
• 中国铝业：正在开展氧化镓相关研究工作。
• 华润微：有研发第四代半导体氧化镓。
• 阿石创：可定制化生产氧化镓及氧化镓混合物靶材。
• 捷佳伟创：研发氧化镓异质外延专用片型MOCVD设备。

金刚石方向：

• 国力股份：子公司与中科粉研签署战略合作协议，并建立联合实验室，推进电子级金刚石CVD装备及长晶工艺产业化。
• 晶盛机电：拥有培育金刚石的规模化产能。
• 四方达：计划建设年产2.5万片CVD金刚石生产线。
• 力量钻石：半导体高功率散热片项目一期已投产。
• 沃尔德：深耕单晶及多晶金刚石在功率半导体器件热沉方面的应用。
• 国机精工：CVD金刚石产品已进入行业头部客户验证阶段。
• 三安光电：金刚石热沉基板已向客户小批量出货。

氮化铝方向：

• 金冠电气：研发氮化铝和氮化硅陶瓷基板。
• 三环集团：产品涵盖氮化铝基片。
• 旭光电子：氮化铝材料产品已配套应用于半导体、大功率电力电子模块等领域。
• 国瓷材料：产品线包括氮化铝系列陶瓷材料。

【电报解读】国内首个第四代半导体材料全产业链项目落户郑州，机构预计第四代半导体衬底市场规模7年将暴涨近5倍，快速梳理第四代半导体材料相关标的（附表）

电报解读

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电报内容

2026.06.28 22:40 星期日

【国内首个第四代半导体材料全产业链项目落户郑州】财联社6月28日电，近日，郑州高新区与中科粉研（河南）超硬材料有限公司签署协议，中科粉研第四代半导体材料生产基地正式落户该区。该基地是国内首个第四代半导体材料全产业链项目，将为河南在全球独具优势的超硬材料产业链补上关键的一环。本次签约落地的生产基地，将依托中科粉研全球首条LPPHT微纳米金刚石产线的技术积累，为实现第四代半导体核心材料的自主研发、生产和规模量产打下坚实基础。（河南日报）

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题材解读

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机构预计第四代半导体衬底市场7年暴涨近5倍，2032年规模将达7.29亿美元

半导体材料是信息技术产业的基石。从以硅（Si）为代表的第一代半导体、以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表的第二代半导体，到以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体，材料体系的迭代始终驱动着电子器件性能的跨越式发展。

近年来，氧化镓与金刚石因其超宽禁带、高击穿场强及优异的极端环境稳定性，被公认为“第四代半导体”的核心材料体系。公开资料显示，第四代半导体衬底属于超宽禁带晶圆级基础材料，专门适配下一代高压、高频、高温、强辐照、深紫外、高热流密度特种电子器件，主流品类分为三大类：一是氧化镓：单晶衬底+外延衬底；二是单晶金刚石：单晶金刚石衬底+CVD金刚石晶圆；三是氮化铝（AlN）：单晶衬底+高质量复合衬底。

相较于传统半导体材料，这类材料具备更宽禁带、更高击穿电场、更强热稳定性、超高热导率四大核心优势，专属服务功率电子、射频通信、深紫外光电、量子器件、航天极端环境电子系统五大高端领域，是独立全新的半导体材料技术路线。

QYResearch权威行业调研数据出炉，精准预判了全球第四代半导体衬底行业增长周期，行业正式迈入产业化前夜。根据QY Research最新全域调研数据：2025年全球第四代半导体衬底市场规模约1.51亿美元；行业长期增长势能充足，预计2032年全球市场规模将攀升至7.29亿美元。测算可得，2026-2032年全球第四代半导体衬底市场年复合增长率（CAGR）高达24.2%，增速远超传统硅基，强化硅半导体衬底赛道。

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相关上市公司

南大光电：公司是全球主要的MO源供应商，部分产品可以用于制备氧化镓。

晶盛机电：在半导体衬底材料领域，公司拥有碳化硅衬底材料、蓝宝石衬底材料及培育金刚石的规模化产能。

德龙激光：公司半导体晶圆划片设备可适用于磷化铟以及碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石等多种半导体材料。

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