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卓胜微(300782)投资简报
核心结论
卓胜微凭借12英寸特色工艺平台成功切入硅光芯片制造领域,有望受益于超高速光模块核心芯片的国产替代机遇。公司发布的“MaxExplore湖光源启工艺平台”适配800G/1.6T/3.2T光模块需求,同时其射频主业(如L-PAMiD模组)进入放量周期,为业绩修复提供支撑。
关键信息
- 硅光芯片布局:公司通过12英寸产线主力向先进节点迭代,其带宽、功耗、抖动等核心指标优于传统8英寸工艺,天然适配1.6T/3.2T超高速光模块Driver/TIA芯片需求。
- 工艺平台发布:2026年3月,公司发布“MaxExplore湖光源启工艺平台”,标志着其从射频前端向特色工艺迭代。
- 海外产能锁定:全球硅光芯片产能主要集中于Tower、GlobalFoundries等厂商。Tower已与核心客户签订2027年13亿美元硅光长协,并锁定2028年更大框架,高端产能被海外龙头锁定。
- 国产替代稀缺性:由于海外产能被锁定且存在地缘风险,国内光模块产业链面临供给约束。卓胜微的IDM平台具备承接国产替代转单需求的稀缺性。
- 射频主业修复:公司L-PAMiD模组已通过部分主流客户验证并量产交付,集成自产MAX-SAW滤波器,2026年一季度开始进入放量周期。公司与三星、华为、小米、OPPO、vivo等主流厂商保持长期合作。
潜在影响
- 业绩弹性巨大:随着硅光芯片业务从0到1突破及射频模组放量,公司归母净利润有望在2027-2028年实现爆发式增长,预计2027年净利润2.62亿元,2028年净利润4.87亿元。
- 行业地位提升:公司从射频前端龙头向“射频+硅光”双轮驱动转型,有望成为国内超高速光模块核心芯片的重要供应商,打破海外产能垄断。
- 地缘风险对冲:在国内光模块产业链面临海外产能被锁定的背景下,公司平台可有效承接转单需求,降低地缘政治风险。
关注要点
- 技术研发与商业化进程:硅光业务能否按预期实现商业化及客户验证是关键,若不及预期将影响增长逻辑。
- 高端产品放量节奏:其L-PAMiD模组和硅光芯片在超高速光模块(1.6T/3.2T)中的出货量及客户导入进度。
- 市场风险:包括光通信业务研发与商业化不及预期、高端产品放量不及预期等。
关联个股
- 卓胜微(300782) 当前股价报收-0.49%。
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正文
【风口研报·公司】适配800G/1.6T/3.2T超高速光模块核心芯片需求,这家公司12英寸特色工艺平台切入硅光芯片,先进制程构筑技术领先壁垒
风口研报
2026.06.24 13:32 星期三
卓胜微(300782)精要
①2026年3月,公司发布MaxExplore湖光源启工艺平台,向特色工艺迭代,适配800G/1.6T/3.2T超高速光模块核心芯片需求;
②目前Tower以8英寸产能为主,12英寸尚处小批量阶段,而卓胜微12英寸产线主力向先进节点迭代,带宽、功耗、抖动等核心指标优于8英寸老工艺,天然适配1.6T/3.2T超高速光模块Driver/TIA芯片需求;
③硅光芯片高端产能被海外龙头锁定至2028年,国内光模块产业链面临供给约束与地缘风险,公司IDM平台具备承接国产替代转单需求的稀缺性;
④东吴证券陈海进预计公司2026-2028年实现归母净利润-0.03/2.62/4.87亿元,同比增长98.81%/7631.84%/86.23%,对应PE分别为-/233/125倍;
⑤风险提示:光通信业务研发与商业化不及预期、高端产品放量不及预期。
适配800G/1.6T/3.2T超高速光模块核心芯片需求,这家公司12英寸特色工艺平台切入硅光芯片,先进制程构筑技术领先壁垒
AI大模型迭代正在推升数据中心高速互联需求,硅光互联成为重要技术方向。Yole预计,硅光市场规模将从2024年2.78亿美元增长至2030年27亿美元,复合增速达46%。
东吴证券陈海进最新覆盖卓胜微,公司原为国内射频前端龙头,产品覆盖射频开关、LNA、滤波器、射频模组等。2022年公司由Fabless模式转向Fab-Lite模式,逐步形成IPD、SAW、SOI、BCD、异构集成及其他高频材料和特色高频器件的核心技术矩阵。
硅光是公司新增量的关键方向。2026年3月,公司发布MaxExplore湖光源启工艺平台,向特色工艺迭代,适配800G/1.6T/3.2T超高速光模块核心芯片需求,有望受益硅光芯片国产替代机遇。
陈海进预计公司2026-2028年实现归母净利润-0.03/2.62/4.87亿元,同比增长98.81%/7631.84%/86.23%,对应PE分别为-/233/125倍。
| 盈利预测与估值 | 2024A | 2025A | 2026E | 2027E | 2028E |
|---|---|---|---|---|---|
| 营业总收入(百万元) | 4,487 | 3,726 | 4,096 | 5,001 | 6,183 |
| 同比(%) | 2.48 | (16.96) | 9.93 | 22.09 | 23.63 |
| 归母净利润(百万元) | 401.83 | (292.88) | (3.47) | 261.63 | 487.24 |
| 同比(%) | (64.20) | (172.89) | 98.81 | 7,631.84 | 86.23 |
| EPS-最新摊薄(元/股) | 0.70 | (0.51) | (0.01) | 0.46 | 0.85 |
| P/E(现价&最新摊薄) | 151.82 | (208.30) | (17,562.29) | 233.17 | 125.21 |
一、12英寸特色工艺平台切入硅光,Driver/TIA需求打开新增量
公司切入硅光的基础来自Fab-Lite转型形成的工艺平台。公司产品已覆盖RFCMOS、RFSOI、SiGe、GaAs、IPD、SAW、压电晶体等材料及工艺。SiGe工艺是硅光TIA/Driver等核心电芯片的技术底座,可实现高效光电转换;SOI工艺可实现低损耗光信号传输,与SiGe工艺形成硅光芯片“黄金组合”。
公司12英寸平台具备适配下一代高端光模块的潜力。目前Tower以8英寸产能为主,12英寸尚处小批量阶段,而卓胜微12英寸产线主力向先进节点迭代,带宽、功耗、抖动等核心指标优于8英寸老工艺,天然适配1.6T/3.2T超高速光模块Driver/TIA芯片需求。
图22: 6、8、12英寸晶圆

100 mm
6寸
200 mm
8寸
300 mm
12寸
25% more chips
40% more chips
ALLOS
Dasson and Poulter
数据来源:ALLOS,东吴证券研究所
全球硅光芯片制造产能主要集中于Tower、GlobalFoundries等厂商,Tower已与核心客户签订2027年13亿美元硅光长协,并收到2.90亿美元预付款用于产能预留,2028年更大框架已锁定。分析师认为,高端产能被海外龙头锁定至2028年,国内光模块产业链面临供给约束与地缘风险,公司IDM平台具备承接国产替代转单需求的稀缺性。
图30: 2021-2031年中国硅光芯片产量及需求量预测
| 年份 | 硅光芯片产量 (亿颗) | 硅光芯片需求量 (亿颗) |
|---|---|---|
| 2021 | 20 | 20 |
| 2022 | 50 | 50 |
| 2023 | 150 | 150 |
| 2024 | 250 | 300 |
| 2025e | 500 | 700 |
| 2026e | 250 | 1150 |
| 2027e | 450 | 1850 |
| 2028e | 750 | 2550 |
| 2029e | 1100 | 3100 |
| 2030e | 1650 | 3750 |
| 2031e | 2550 | 4700 |
数据来源:共研产业咨询,东吴证券研究所
二、射频主业提供现金流与客户基础,L-PAMiD放量支撑业绩修复
在硅光平台推进的同时,射频业务仍是公司基本盘。公司与三星、华为、小米、OPPO、vivo等主流智能手机厂商建立长期合作,2025年前五大客户销售占比68.32%。
高端模组是射频业务修复的核心变量。L-PAMiD集成功率放大器、开关、滤波器等器件,长期由海外厂商主导。公司L-PAMiD已通过部分主流客户验证并进入量产交付阶段,并集成自产MAX-SAW滤波器,2026年一季度开始进入放量周期。
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