中文简报：士兰微（600460）——SiC功率器件受益AI数据中心SST技术

核心结论

士兰微作为IDM模式的功率半导体厂商，其SiC芯片产线持续上量，已实现对AI算力中心电源的批量出货。随着伊顿电气发布全SiC模块固态变压器（SST），SiC在AI数据中心领域的产业化应用加速，公司有望深度受益于AI供电架构升级带来的需求增长。甬兴证券预计公司2026-2028年归母净利润同比增长106.8%/28.6%/31.7%，业绩进入高速兑现期。

关键信息

• 行业催化：2026年6月，伊顿电气发布采用全SiC模块的MV SST固态变压器2.0，系统全链效率高达98.5%，标志着SiC在AI数据中心领域产业化加速。
• 公司产能进展：
• 6英寸SiC功率器件芯片生产线持续上量。
• 8英寸SiC产线已在厦门士兰集宏一期实现通线，规划投资70亿元，预计2026年下半年正式投产。
• 公司规划在厦门投资200亿元分两期建设12英寸高端模拟电路芯片生产线，目标车规级模拟电路和算力服务器电源电路，建成后年产54万片。
• 产品导入：
• Ⅱ代SiC-MOSFET已通过国内大厂严苛认证，2025年实现对AI算力中心电源的大批量出货，并同步配套高性能中低压MOSFET。
• 应用于服务器的DrMOS电路、Efuse电路及多项控制器电路已在客户端测试或导入量产。
• 财务预测：甬兴证券预计2026-2028年营收分别为152.33亿元、179.77亿元、214.55亿元，同比增长16.7%/18.0%/19.3%；归母净利润分别为8.24亿元、10.60亿元、13.95亿元，同比增长106.8%/28.6%/31.7%。
• 风险提示：研发不及预期；扩产进度不及预期。

潜在影响

• SiC作为固态变压器核心材料，将受益于AI算力供电架构从传统变压器向高效SST的转变，市场渗透率有望快速提升。
• 公司IDM模式下的产能爬坡（尤其是8英寸SiC产线及12英寸高端模拟产线）将强化其车规级与算力电源芯片的供应能力，巩固行业地位。
• 随着AI数据中心对电源效率要求提高，公司已实现批量出货的先发优势可能带来订单持续增长，驱动业绩高弹性。

关注要点

• 8英寸SiC产线投产进度及良率爬坡情况：原定2026年下半年投产，需跟踪实际进展及产能利用率。
• AI算力电源产品认证与订单：重点关注公司SiC-MOSFET及其他电源管理芯片在国内外服务器厂商的导入节奏。
• 新产线投资风险：厦门12英寸高端模拟电路产线总投资200亿元，需关注资金投入及回报周期。
• 行业竞争格局：SiC领域厂商扩产积极，需关注公司能否保持技术领先和成本优势。

关联个股

• 士兰微（600460）：本文核心标的，IDM功率半导体龙头，SiC、GaN、IGBT全路线布局。其他细分领域相关公司原文未提及，信息不足。

【风口研报·公司】SiC、GaN功率元器件受益SST技术，这家公司SiC芯片产线正在持续上量，实现对AI算力中心电源的批量出货

风口研报

2026.06.23 10:31 星期二

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士兰微（600460）精要：

cset.cnthesims.com

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①2026年6月，伊顿电气发布了采用创新全SiC模块的MV SST固态变压器2.0，系统全链效率高达98.5%，标志着SiC在AI数据中心领域的产业化应用正在加速；

②公司6英寸SiC功率器件芯片生产线正在持续上量，8英寸SiC产线也已在厦门士兰集宏一期实现通线，规划投资额70亿元，预计2026年下半年正式投产；

③公司应用于服务器的DrMOS电路、Efuse电路及多项控制器电路已在客户端测试或导入量产，同时规划在厦门投资200亿元建设12英寸高端模拟电路芯片生产线，目标为车规级模拟电路和算力服务器相关电源电路；

④甬兴证券张恬预计公司2026-2028年实现归母净利润8.24/10.60/13.95亿元，同比增长106.8%/28.6%/31.7%，对应PE分别为84.47/65.69/49.88倍；

⑤风险提示：研发不及预期；扩产进度不及预期。

SiC、GaN功率元器件受益SST技术，这家公司SiC芯片产线正在持续上量，实现对AI算力中心电源的批量出货

2026年6月，伊顿电气发布了采用创新全SiC模块的MV SST固态变压器2.0，系统全链效率高达98.5%，标志着SiC在AI数据中心领域的产业化应用正在加速。

甬兴证券张恬首次覆盖士兰微，公司专注于硅半导体及化合物半导体产品的设计、制造与封装，主要产品包括集成电路、分立器件和化合物半导体器件。功率半导体领域技术路线覆盖SiC、IGBT和GaN，其AI服务器相关产品有望受益于AI基础设施建设，未来业绩有望持续兑现。

2025年，公司应用于服务器的DrMOS电路、Efuse电路及多项控制器电路已在客户端测试或导入量产。同时，公司规划在厦门投资200亿元建设12英寸高端模拟电路芯片生产线，两期建设完成后将形成年产54万片的产能，主要瞄准车规级和算力服务器电源电路。

张恬预计公司2026-2028年实现归母净利润8.24/10.60/13.95亿元，同比增长106.8%/28.6%/31.7%，对应PE分别为84.47/65.69/49.88倍。

一、SST技术催化SiC需求，公司产能爬坡与产品导入进入快车道

SiC具备更高的开关频率和耐压能力，是固态变压器中实现高效电能转换的核心。伊顿发布全SiC模块固态变压器，以及英伟达与英诺赛科在800VDC架构上的合作，均表明碳化硅在AI算力供电领域的渗透正在加快。

公司凭借IDM模式的深厚积累，已在此领域取得实质性进展。据2025年年报，公司6英寸SiC功率器件芯片生产线正在持续上量，8英寸SiC产线也已在厦门士兰集宏一期实现通线，规划投资额70亿元，预计2026年下半年正式投产。

产品方面，公司Ⅱ代SiC-MOSFET已通过国内大厂严苛认证，在2025年实现对AI算力中心电源的大批量出货，并同步配套销售

二、内生扩张与高端化布局并进，构筑IDM长期成长动力

公司持续拓宽IDM模式的产品护城河，产品结构向车规级与高端化方向升级。在功率模块领域，公司IPM模块封装测试产能已提升至4000万只/月，出货量预计仍将保持20-30%的较快增长。未来发展重点是高压1200V IPM模块以及SiC和GaN器件的应用，并大力拓展汽车市场。

为承接车规与算力领域的高端需求，公司规划了大规模的产能扩张。除了前述8英寸SiC产线，公司还计划分两期在厦门建设12英寸高端模拟电路芯片生产线，项目总投资200亿元，目标直指车规级模拟电路和算力服务器相关电源电路。