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碳化硅（SiC）AI应用简报

核心结论

随着AI大时代的到来，碳化硅（SiC）在数据中心供电系统、先进封装及AI/AR眼镜等领域展现出远超传统市场的增长潜力。机构指出，SiC行业已呈现反转态势，有望成为AI新主线，相关衬底与设备公司预计重点受益。

关键信息

• 产业背景：英特尔CEO陈立武在近期访谈中表示，在传统芯片工艺微缩逼近物理极限的背景下，正将重心转向先进封装（如EMIB、玻璃基板）以及氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）等新材料领域。
• 技术优势：碳化硅具有耐高压、耐高温、高频高效、高导热等特性，尤其在AI数据中心中可替代硅基MOSFET，减少元件数量、提高电源功率密度和转换效率。
• 市场观点：
• 天风证券认为，碳化硅天然适配AI时代的供电系统，同时可作为先进封装的中介层材料，提升机械强度和散热能力，并有望加速AI/AR眼镜的发展。
• 华西证券指出，AI相关SiC需求远超车规等传统市场，今年行业已呈现反转，市场有望对其重新定价。

潜在影响

• SiC在AI数据中心、先进封装等新场景的渗透率将快速提升，带动整个产业链的订单放量与价格重估。
• 国内SiC衬底规模化量产及12英寸技术突破，将加速国产替代进程，并提升相关企业在全球供应链中的地位。

关注要点

• 晶盛机电：8英寸碳化硅衬底已实现规模化量产并获得海内外客户批量订单；12英寸碳化硅晶体生长技术已突破，中试线送样验证；浙江上虞、宁夏银川项目已投产，马来西亚槟城项目预计2027年投产。
• 长电科技：具备覆盖碳化硅、氮化镓等新材料功率器件的封装技术与量产经验；在服务器供电模块、CPO光电合封等领域与头部客户有深度合作。

关联个股

• 晶盛机电（+3.92%）
• 长电科技（+3.43%）

【盘中宝】海外巨头已布局，AI相关需求远超传统市场，该领域在数据中心、先进封装领域具备应用潜力，机构称行业已呈现反转态势，这家企业产品获得了客户批量订单

盘中宝

2026.06.22 09:26 星期一

财联社资讯获悉，近日，英特尔CEO陈立武作客播客深度访谈，分享其执掌英特尔14个月以来的改革思路、产业布局与行业判断。陈立武介绍了其改造英特尔的方法路径：在稳固资产负债表、聚焦产品线之后，他正将投注重心转向先进封装技术EMIB、玻璃基板，以及氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）和人工合成钻石等新材料领域，以应对传统工艺节点微缩趋近物理极限的挑战。

一、AI大时代，重视碳化硅的重要价值

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碳化硅产业链主要包括衬底、外延、器件制造（设计、制造、封测）三大环节。根据电学性能的不同，碳化硅衬底分为半绝缘型和导电型。碳化硅具备诸多优势：耐高压，耐高温，实现高频的性能。

天风证券研报指出，AI时代，碳化硅将大有可为。碳化硅天然适配AI时代的数据中心供电系统。碳化硅在先进封装领域也具备应用潜力。使用碳化硅MOSFET替代硅基MOSFET，可以提高开关频率，降低反向恢复损耗，有效减少元件数量，增加电源功率密度，提高电力转换效率。碳化硅的禁带宽度、临界击穿场强、热导率和饱和电子漂移速率都高于硅，有着出色的耐高温和耐高压能力，同时可以有效传导热量，提升中介层机械强度，或将成为解决高功耗芯片封装痛点的理想材料。碳化硅的高折射率，在AI/AR眼镜领域的应用潜力广阔。

华西证券表示，随着AI发展，SIC在AI相关领域的需求有明显增长，并且未来存在大量增长空间。AI相关需求远超车规等传统市场，SIC有望成为AI新主线。今年SIC已呈现反转态势，市场有望对SIC行业重新定价，SIC衬底与设备公司有望重点受益。

二、相关上市公司：晶盛机电、长电科技

晶盛机电8英寸碳化硅衬底已实现规模化量产并获海内外客户批量订单，12英寸碳化硅晶体生长技术实现突破并建设中试线送样验证。公司高度重视碳化硅业务的发展，公司浙江上虞及宁夏银川的碳化硅衬底项目均已投产，马来西亚槟城的碳化硅衬底项目预计2027年投产。

长电科技具备完备的功率器件封装技术和量产经验，覆盖碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等新材料功率器件及多种分立和芯片级封装，并在散热和可靠性上拥有多项专利技术，开发了多种散热结构。通过与头部用户紧密合作，公司已在服务器供电模块技术及制造上积累了丰富的经验。对于网络模块，长电科技与国内外客户就CPO光电合封产品进行了多年的技术合作。