金融资讯简报：铪金属价格同比上涨200%，三祥新材锆铪分离项目有望受益

核心结论

铪金属（Hf）因在存储、CPU、GPU等先进半导体领域的应用需求激增，价格持续创历史新高。三祥新材（603663）新建的锆铪分离工业化产线已可稳定产出电子级氧氯化铪及氧氯化锆，预计投产在即，有望借助铪金属涨价趋势打开长期业绩成长空间。

关键信息

• 铪金属价格：截至2026年5月15日，海外报价12508美元/千克（约8500万元/吨），较年初上涨31.67%，同比上涨196.46%，持续创历史新高。
• 铪的应用领域：
• 先进制程CPU/GPU：氧化铪可作为高k栅介质（k值约20-25，带隙约5.7eV），替代传统SiO₂抑制漏电、控制功耗。
• DRAM：HfO₂基材料作为高k电容介质，用于20nm以下工艺节点（三星、海力士、美光、长鑫存储等已采用）。
• 3D NAND：HfO₂基材料用于隧穿氧化层、电荷俘获层、阻挡氧化层（三星、海力士、长江存储等布局）。
• 三祥新材项目进展：
• 2025年7月：公司拟投资建设2万吨锆铪分离项目。
• 截至2026年4月：锆铪分离半工业化产线已可连续且稳定产出4N级以上氧氯化铪及氧氯化锆，均为电子级产品，预计投产在即。
• 财务预测（浙商证券杨占魁）：
• 预计2026-2028年归母净利润分别为3.96亿元、6.51亿元、7.52亿元，同比增长237.22%、64.10%、15.59%。
• 对应PE分别为79.87倍、48.67倍、42.10倍（2025年归母净利润1.1755亿元，PE 269.32倍）。

潜在影响

• 铪金属供需格局：据阿格斯，燃气轮机、存储芯片、商业航天、核电站等领域需求远超当前供应能力，预计将出现结构性短缺，铪金属涨价有望持续。
• 公司成长空间：若三祥新材锆铪分离项目顺利投产，在铪金属价格高位及半导体应用拓展背景下，公司有望获得长期业绩增长动能。
• 行业催化：高k材料在CPU/GPU、DRAM、3D NAND中的渗透率提升，将持续拉动铪金属需求，相关供应商受益。

关注要点

1. 三祥新材锆铪分离项目正式投产时间及产能爬坡节奏。
2. 铪金属后续价格走势及供需变化（尤其是半导体、商业航天等下游需求增量）。
3. 公司电子级氧氯化铪、氧氯化锆的客户认证与订单情况。
4. 风险提示：在研项目研发进度不及预期的风险。

关联个股

• 三祥新材（603663）：核心标的，锆铪分离项目即将投产，直接受益于铪金属涨价。

【风口研报·公司】这个存储+CPU+GPU“小金属”价格同比上涨200%，这家公司公司新建工业化产线可连续且稳定产出电子级产品，有望打开长期业绩成长空间

风口研报

2026.06.15 13:11 星期一

三祥新材（603663）精要：

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①铪在存储、CPU、GPU中均有应用场景，先进制程领域可作为高k栅介质，DRAM领域可作为高k电容介质，存储领域可用于3D NAND的隧穿氧化层、电荷俘获层、阻挡氧化层；

②截至2026年5月15日，铪金属海外报价12508美元/千克，折合人民币约8500万元/吨，较年初上涨31.67%，同比上涨196.46%，持续创历史新高；

③2025年7月，公司拟投资建设2万吨锆铪分离项目；截至2026年4月，公司锆铪分离半工业化产线已可连续且稳定产出4N级以上氧氯化铪及氧氯化锆，均为电子级产品，预计投产在即；

④浙商证券杨占魁预计公司2026-2028年实现归母净利润3.96/6.51/7.52亿元，同比增长237.22%/64.10%/15.59%，对应PE分别为79.87/48.67/42.10倍；

⑤风险提示：在研项目的研发进度不及预期。

这个存储+CPU+GPU“小金属”价格同比上涨200%，这家公司公司新建工业化产线可连续且稳定产出电子级产品，有望打开长期业绩成长空间

钴金属在半导体先进制程、DRAM和3D NAND中的应用正被进一步关注。氧化铪具备较高介电常数和大带隙，可作为高k栅介质，用于CPU/GPU核心晶体管等场景；在DRAM中，HfO₂基材料可替代SiO₂/SiON作为堆叠电容介质；在3D NAND中，HfO₂基材料可用于隧穿氧化层、电荷俘获层、阻挡氧化层等。

浙商证券杨占魁看好三样新材，公司核心看点在于锆铪分离项目。2025年7月，公司拟投资建设2万吨锆铪分离项目；截至2026年4月，公司锆铪分离半工业化产线已可连续且稳定产出4N级以上氧氯化铪及氧氯化锆，均为电子级产品，预计投产在即。

杨占魁预计公司2026-2028年实现归母净利润3.96/6.51/7.52亿元，同比增长237.22%/64.10%/15.59%，对应PE分别为79.87/48.67/42.10倍。

资料来源：浙商证券研究所

一、铪在CPU/GPU与存储芯片中应用拓展，高k材料需求有望成为核心催化

先进制程领域，氧化铪可作为高k栅介质。根据Goodfellow数据，氧化铪拥有相对较高的介电常数，k值约20-25，同时具备约5.7eV的大带隙。氧化铪基高k材料有望逐步替代传统二氧化硅SiO₂，用于抑制栅极隧穿漏电、控制芯片功耗，并可应用于CPU/GPU核心晶体管等场景。Intel、台积电、三星等均有相关布局。

DRAM领域，氧化铪可作为高k电容介质HfO₂基材料可替代SiO₂/SiON作为堆叠电容介质，在保持较低漏电流密度的前提下实现高介电常数，从而提升容量、降低漏电。随着DRAM工艺节点进入20nm以下，三星、海力士、美光等DRAM公司已普遍采用该方案，国内长鑫存储亦有布局。

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3D NAND领域，HfO₂基材料可用于3D NAND的隧穿氧化层、电荷俘获层、阻挡氧化层。三星、海力士、长江存储已在该领域积极探索与布局。

二、海外铅价持续创历史新高，锆铅分离项目打开公司长期成长空间

铪金属价格持续上涨是公司当前重要催化。根据StrategicMetalsInvest数据，截至2026年5月15日，铪金属海外报价12508美元/千克，折合人民币约8500万元/吨，较年初上涨31.67%，同比上涨196.46%，持续创历史新高。

据阿格斯，鉴于燃气轮机、存储芯片、商业航天、核电站领域的给需求已远超当前供应能力，预计给金属将出现结构性短缺格局，给金属涨价或有望持续。需求端多点扩张与供给能力约束，使错给分离项目具备更高关注度。

若公司项目后续投产推进顺利，有望在铅金属价格高位及半导体应用拓展背景下，打开长期成长空间。

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