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金融资讯简报：电容或成算力新瓶颈

核心结论

我国成功研制出可直接应用于高端芯片的三维多层片上电容。国金证券分析师刘高畅认为，随着AI算力需求的爆发，电容环节正成为继HBM之后的算力新瓶颈，其供给格局与需求结构具备复制HBM涨价路径的核心条件。

关键信息

1. 技术突破：湖北江城实验室研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法，可应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等，目前正开展工艺流片及小批量试产。
2. 代际跃迁下的需求激增：英伟达GPU从H100向GB300乃至Rubin Ultra的演进，导致单机柜功耗与被动元器件（如MLCC）用量呈指数级增长。GB300单台AI服务器MLCC用量约为智能手机的30倍。
3. 供需剪刀差形成：高端MLCC约70%产能集中于日本厂商（村田市占率超40%），而AI服务器需求暴增（村田预计2030年需求较2025年增约3.3倍），已形成供给瓶颈。
4. 价格信号：高端MLCC现货价已上涨15%-35%，交期拉长至16-20周，库存处于5年低位。
5. 类比逻辑：分析师将电容比作“电RAM”（能量缓冲），与HBM（数据缓冲）在算力链中的位置高度对称，具备相似的涨价传导路径。

潜在影响

• 市场预期重塑：市场对算力链核心环节的认知，可能将从HBM扩展至电容等被动元器件。电容环节的“瓶颈”属性如果被确认，将带动整个板块的估值逻辑从“量增”转向“量价齐升”。
• 产业竞争格局变化：具备高端电容（尤其是MLCC）生产能力的企业将获得更强的议价能力和业绩弹性。同时，电容技术的突破（如本次的三维多层片上电容）可能打开新的产业空间，影响先进封装和芯片设计方向。
• 投资机会显现：电容产业链，特别是配套AI服务器的MLCC及相关材料供应商，可能成为继HBM概念后的下一个市场热点。

关注要点

• 高端电容涨价持续性：关注高端MLCC后续现货价格走势及交期变化，这是验证“瓶颈”逻辑的重要指标。
• 供给端扩产动态：日本厂商（村田等）和中国厂商在高端MLCC领域的产能扩张计划及技术突破进展。
• AI服务器出货量及功耗数据：英伟达下一代GPU的功耗水平和出货量，直接决定了电容用量的天花板。
• 国产替代进程：本次三维多层片上电容技术的突破，以及高端MLCC的国产化率提升情况。

关联个股

• 祥和实业：公司生产的电子元器件配件产品主要配套铝电解电容器。
• 时代新材：公司控股子公司时代华先以芳纶和电容隔膜材料产品为主要业务。

【电报解读】我国成功研制出三维多层片上电容！分析师强

Call电容正成为继HBM之后的算力新瓶颈，随着英伟达推动

GPU算力代际跃迁，其具备复制HBM涨价的核心条件，这

家公司产品主要配套铝电解电容器

电报解读

2026.06.13 18:57 星期六

Ⅱ 电报内容

【我国成功研制出三维多层片上电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片】财联社6月12日电，据湖北江城实验室消息，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。电容在电路中的作用，本质上是一个超微缩的“蓄水池”：当芯片电流剧烈波动时，能迅速充放电以平抑电压，确保芯片吃上“纯净且稳定”的电流。电容在算力系统中也被比喻为“电RAM”：HBM是算力的数据缓冲，电容则是算力的能量缓冲。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电，必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力。

Ⅱ 电报解读

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题材解读

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一、AI功耗爆发驱动被动元器件代际跃迁

当前，AI服务器单机柜功耗已经突破百千瓦门槛。英伟达GB300NVL72平台单卡B300GPU典型功耗约1400W，相比上一代GB200的1200W提升约17%，整机柜满载功耗达到130-140kW区间。这一功耗水平较风冷H100机柜的约40kW实现约3.5倍跃迁，主因是GPU数量与单卡功率密度同步抬升。

功耗倍增直接传导至被动元器件用量倍增。村田制作所披露，GB300单台AI服务器需搭载约3万颗MLCC，约为智能手机用量的30倍、汽车的3倍；整机柜MLCC用量进一步抬升至44万颗。MLCC作为电源/信号链的"毛细血管"，其用量与GPU数量、单卡功耗、电源路数直接挂钩——GPU数量越多、功耗越高、电源路数越密，MLCC用量呈指数级放大。

而代际跃迁带来的量增空间还在进一步打开。从H100到RubinUltra的演进路径来看，单机柜GPU数量已从HGXH100的8颗跃升至RubinUltraNVL576的576颗（144颗GPU×4个die），对应单机柜MLCC用量从H100的约4.8万颗预计抬升至RubinUltraNVL576的约430万颗。这一增长背后是GPU封装数与电源路数的双重放大效应——封装数越多带动主板面积放大、电源路数越多带动板载电容用量倍增。

图表2：从H100到Rubin Ultra单机柜的MLCC用量跃迁

来源：DoNews，村四，国金证券研究所

二、电容正成为继HBM之后的算力新瓶颈，具备复制HBM涨价的核心条件

HBM已经验证过算力链上一个核心环节的"量价齐升+涨价超预期"路径。HBM作为AI算力链的核心存储组件，其涨价路径背后是"AI服务器需求暴增→产能转向高端→中低端供给紧缩→价格反向传导"的产业逻辑。

国金证券刘高畅认为，电容正在复制HBM的传导路径。AI服务器MLCC用量较普通服务器抬升5-10倍，村田预计AI服务器MLCC需求2030年较2025年增加约3.3倍；与此同时高端MLCC 70%产能集中于日本厂商，叠加稀土原材料供给压力，"需求暴增+供给瓶颈"的剪刀差已经形成。MLCC高端型号现货价已经上涨15-35%，交期拉长至16-20周，库存处于5年低位。从需求结构、供给约束、价格曲线三个维度看，电容环节具备复制HBM涨价的核心条件。

其进一步指出，电容在算力链中的位置与HBM高度对称。HBM是"算力的数据缓冲"，电容是"算力的能量缓冲"——前者承担数据吞吐速率与算力速率的匹配，后者承担电源供应速率与算力功率的匹配。两者都是AI服务器从"标品采购"走向"瓶颈卡位"的关键环节，也都是被市场长期低估的高弹性细分。随着英伟达推动GPU算力代际跃迁，电容的"电RAM"卡位特征正在加速显现。

图表4：电容与HBM传导路径对比

来源：界面新闻，国金证券研究所

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相关上市公司

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祥和实业：公司生产的电子元器件配件产品主要配套铝电解电容器。

时代新材：公司控股子公司时代华先以芳纶和电容隔膜材料产品为主要业务，目前正在开展B轮融资工作，计划引入战略投资机

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