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【电报解读】AI数据中心向800V HVDC供电架构升级下,SiC成为突破效率瓶颈的关键,行业正经历从......

2026-06-09 21:29 默认源

AI Report

AI 简报

中文简报:碳化硅行业与AI数据中心供电架构升级

核心结论

碳化硅(SiC)行业正经历从“新能源驱动”向“算力需求拉动”的历史性动能切换。随着AI数据中心向800V HVDC供电架构升级,SiC成为突破效率瓶颈的关键,产业链有望重点受益,市场空间预计到2030年增长近8倍。

关键信息

  • Wolfspeed于2026年6月9日推出第五代(Gen5)碳化硅MOSFET技术,比导通电阻降低27%,样品已向特定客户提供,预计2026-2027年推出更多750V-1200V产品。
  • 国家政策强力支持:2025年中央经济工作会议强调“突破先进功率半导体瓶颈”,2026年政府工作报告明确“推动第三代半导体规模化应用”,“十五五”规划专章部署宽禁带半导体,地方配套政策形成闭环。
  • 英伟达2025年5月宣布,数据中心正从54V机架供电向800V HVDC高压直流架构过渡,目标是2027年规模化商用,以支撑1MW及以上超高功率密度的IT机架。
  • 华西证券预测,到2030年整体电源用SiC衬底需求有望接近700亿元,增长约8倍,其中8寸下游FAB线扩产将大幅刺激衬底与设备需求。

潜在影响

  • AI数据中心功耗持续攀升,800V HVDC架构对开关器件耐压、效率与热管理提出更高要求,SiC功率器件凭借高压高频优势,需求有望显著扩大。
  • 产业链多家厂商已着手布局SiC固态变压器(SST),AI电源环节将直接受益。
  • SiC衬底及设备国产化进程有望加速,推动国内相关企业技术升级与产能扩张。

关注要点

  • 800V HVDC方案的推进节奏与规模化落地时间(目标2027年)。
  • 国内SiC衬底8寸产业化进展及良率提升情况。
  • 政策端对第三代半导体的持续支持力度及专项科技资金落地。
  • 下游客户验证及风险量产阶段的订单释放节奏。

关联个股

  • 三安光电:湖南三安与意法半导体合资公司安意法生产碳化硅外延、芯片,现有产能2000片/周,规划达产后8寸外延/芯片产能48万片/年,已进入风险量产阶段。
  • 华润微:目前碳化硅产能约2500片/月,SiC器件销售规模较上年同期实现高速增长。