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财联VIP专栏【电报解读】全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付,硅基氮化镓已成为氮化镓器件最具成本优势的技术......
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全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付简报
核心结论
中国电科55所自主研发的全球首款量产智能终端用硅基氮化镓(GaN-on-Si)射频芯片已交付超500万颗,标志着硅基氮化镓在智能终端领域首次实现规模化商用。硅基氮化镓凭借低成本、高性能及可兼容现有硅晶圆产线的优势,已成为氮化镓器件最具成本优势的技术路线,有望加速在5G、新能源汽车、AR/VR等领域的渗透。
关键信息
- 事件:中国电科55所硅基氮化镓射频芯片产品交付超五百万颗,为全球首款量产的智能终端用硅基氮化镓射频芯片。
- 技术优势:硅基氮化镓融合氮化镓高性能与硅的低成本,衬底成本仅为碳化硅的1/10,可直接利用8英寸硅晶圆产线,效率更高、体积更小。
- 市场格局:全球市场集中度较高,海外巨头与国内头部厂商瓜分市场;国内6英寸产品仍是量产主力,8英寸产能逐步落地算力与车规高端领域;英诺赛科为全球首家量产8英寸硅基氮化镓晶圆且唯一具备全电压谱系供应能力的公司。
- 应用领域:电力电子、射频与无线通信、光电子,赋能电动汽车、5G、AR/VR等。
潜在影响
- 支撑空天地一体化网络:该芯片为空天地一体化信息网络的全域覆盖、高速互联提供硬核支撑。
- 加速国产替代:国内凭借8英寸产线成本优势,有望在射频芯片领域加速国产替代,尤其在终端射频领域实现量产突破。
- 带动产业链升级:硅基氮化镓在智能终端的规模化商用将推动上游材料、外延、器件设计及制造等环节的协同发展。
关注要点
- 产能落地进展:8英寸硅基氮化镓产能逐步释放,关注高端算力与车规领域的规划。
- 终端射频量产:硅基氮化镓功放芯片首次在终端射频领域实现量产交付,关注后续客户导入及订单情况。
- 国内厂商布局:多家上市公司已切入硅基氮化镓产业链,涵盖外延、器件、封装及投资等环节。
关联个股
- 海特高新:硅基氮化镓芯片、VCSEL芯片及碳化硅芯片用于电源管理、充电桩、汽车雷达等。
- 国博电子:终端用射频芯片已向多家知名终端厂商批量供货,硅基氮化镓功放芯片实现量产交付。
- 晶方科技:投资的以色列VisIC公司开发硅基氮化镓技术的400V/650V/800V逆变器方案。
- 三安光电:启动构建射频硅基氮化镓代工平台,湖南三安已有硅基氮化镓产能2000片/月。
- 美迪凯:8英寸硅基氮化镓外延MicroLED已于2025年第四季度小批量生产。
- 华润微:完成600V硅基E-mode氮化镓器件定型,建成硅基氮化镓E-mode功率器件产线。
- 芯导科技:募投7962万元硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目。
- 世联行:向珠海镓未来投资400万元,该企业专注于硅基氮化镓研发与制造。
- 立昂微:6英寸碳化硅基氮化镓芯片用于基站、无人机、卫星通信、机器人等。
- 天岳先进:碳化硅基氮化镓外延片可制成HEMT等微波射频器件。
- 晶升股份:碳化硅基氮化镓外延片应用于5G通信、卫星、雷达等。
- 聚灿光电:拥有硅基氮化镓LED外延结构制造方法专利。
- 国星光电:拥有硅基氮化镓外延结构专利。
- 华天科技:晶圆减薄、背金技术应用于硅基氮化镓晶圆减薄背金环节。
- 探路者:参股基金投资领域涉及硅基氮化镓材料功率器件与电源模块。
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正文
【电报解读】全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付,硅基氮化镓已成为氮化镓器件最具成本优势的技术路线,快速整理相关上市公司(附表)
电报解读
2026.06.06 13:52 星期五

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【全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片 交付超五百万颗】财联社6月5日电,中国电科55所自主研发的全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片产品,近日已交付超五百万颗。这是全球率先实现硅基氮化镓射频芯片在智能终端规模化商用,将为空天地一体化信息网络的全域覆盖、高速互联提供硬核支撑。(科技日报)
Ⅱ 电报解读

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题材解读

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硅基氮化镓已成为氮化镓器件最具成本优势的技术路线
硅基氮化镓(GaN-on-Si)是一种融合氮化镓高性能与硅可扩展性的混合半导体平台,通过缓冲层缓解晶格失配、外延生长等步骤制备,核心架构为HEMT晶体管,具备3.4eV宽禁带、1500-2000cm²/Vs高电子迁移率、最高1200V击穿电压等优势,相比硅器件效率更高、功率密度更大、体积更小,且可利用现有硅晶圆基础设施实现成本效益生产,广泛应用于电力电子、射频与无线通信、光电子三大领域,赋能电动汽车、5G、AR/VR等关键行业创新。
从衬底材料看,氮化镓器件主要有四种技术路线:硅基氮化镓(GaN-on-Si)、蓝宝石基氮化镓(GaN-on-Sapphire)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)和氮化镓基氮化镓(GaN-on-GaN)。其中,硅衬底成本仅为碳化硅的1/10,且可直接利用现有8英寸硅晶圆产线,硅基氮化镓因此成为最具成本优势的技术路线。目前市面上主要的GaN器件企业大多采用GaN-on-Si方案。
全球市场集中度高,海外老牌巨头与国内头部厂商瓜分市场,国内凭借8寸产线成本优势快速国产替代,国内是全球最大消费市场,6寸产品仍是量产主力,8寸产能逐步落地算力与车规高端领域。英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,亦为全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

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相关上市公司

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海特高新:公司的硅基氮化镓芯片、vcsel芯片及碳化硅芯片广泛用于电源管理、新能源汽车的充电桩、汽车雷达、汽车功率器件等。
国博电子:公司积极开拓终端领域,终端用射频芯片产品已经开始向多家业内知名终端厂商批量供货,硅基氮化镓功放芯片在业内首次实现了在终端射频领域的量产交付。

C 财联社
硅基氮化镓相关上市公司
| 股票简称 | 题材信息 |
|---|---|
| 晶方科技 | 公司投资的以色列VisIC公司为全球领先的第三代半导体GaN(氮化镓)器件设计公司,正在积极开发基于硅基氮化镓技术的400V/650V/800V等逆变器方案。 |
| 国博电子 | 公司积极开拓终端领域,终端用射频芯片产品已经开始向多家业内知名终端厂商批量供货,硅基氮化镓功放芯片在业内首次实现了在终端射频领域的量产交付。 |
| 海特高新 | 公司的硅基氮化镓芯片、vcse1芯片及碳化硅芯片广泛用于电源管理、新能源汽车的充电桩、汽车雷达、汽车功率器件等。 |
| 三安光电 | 面向方兴未艾的氮化镓射频消费类应用,公司已启动构建射频硅基氮化镓代工平。湖南三安已拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。 |
| 天岳先进 | 通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成HEMT等微波射频器件,应用于信息通讯、无线电探测等领域。 |
| 晶升股份 | 在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片,可制成HEMT等微波射频器件,下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。 |
| 美迪凯 | 8英寸硅基氮化镓外延MicroLED已于2025年第四季度开始小批量生产。 |
| 华润微 | 通过自主研发完成了600V硅基E-mode氮化镓器件的定型产品研发,搭建了硅基氮化镓E-mode功率器件生产线及制造封装工艺、以及产出了2款650V硅基氮化镓E-mode HEMT器件,建立了相应的产品设计、晶圆生产和封装测试能力,代表产品/工艺达到国内先进水平。 |
| 芯导科技 | 募投7962万元硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目。 |
| 世联行 | 2021年公司向珠海镓未来科技有限公司投资400万元,持有其股权2.27%,属于财务类投资。根据其官网介绍,珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业,致力于第三代半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)研发与制造。 |
| 立昂微 | 公司6英寸碳化硅基氮化镓芯片主要应用于基站、无人机、卫星通信、机器人等 |
| 探路者 | 参股苏州荷塘创芯创业投资合伙企业(有限合伙)主要投资半导体相关行业,重点投资方向涉及基础材料、激光器、功率器件、射频器件等领域。产品基于硅基氮化镓材料的功率器件与电源模块。 |
| 国星光电 | 拥有一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法专利。 |
| 聚灿光电 | 拥有硅基氮化镓LED外延结构的制造方法专利。 |
| 华天科技 | 晶圆减薄技术、晶圆背面金属化技术系公司Trench/SGTMOSFET封装的核心技术之一,应用于公司6英寸/8英寸硅、硅基氮化镓晶圆的减薄背金环节。 |
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