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金融资讯简报

核心结论

• AI服务器功率升级：随着AI机柜功率向更高规格演进，功率半导体与模拟芯片在算力供电中的价值量同步提升。士兰微作为IDM模式的半导体公司，其SiC MOSFET产品已批量应用于AI算力中心电源，并正在积极扩产，有望受益于这一趋势。
• 国内存储+先进封装扩产：国内存储芯片（长江存储、长鑫存储）扩产和工艺升级趋势明确，将显著拉动薄膜沉积设备需求。拓荆科技作为国内薄膜沉积设备龙头，正积极拓展三维集成（混合键合）设备作为第二成长曲线，有望持续受益。

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关键信息

士兰微（600460）

• 核心业务与布局：专注于半导体IDM模式，覆盖集成电路、分立器件、发光二极管。已在SiC、IGBT、MOSFET及电源管理芯片形成布局。
• AI应用进展：SIC-MOSFET已批量应用于AI算力中心电源。部分车规级SiC MOSFET模块累计出货超10万颗，并可用于AI电源。
• 产能扩张计划：
• 规划总投资200亿元建设12英寸高端模拟集成电路芯片生产线。
• 6英寸SiC产线月产能已达1万片，预计2026年实现满产。
• 8英寸SiC功率器件芯片生产线已于2025年四季度通线，月产5000片，预计2026年下半年正式投产。
• 财务预测：国信证券预计公司2026-2028年归母净利润分别为8.09亿元、12.17亿元、16.09亿元，同比增速分别为103.1%、50.4%、32.2%。

拓荆科技（688072）

• 核心业务与进展：国内薄膜沉积设备龙头，产品矩阵包括PECVD、ALD、SACVD等。
• 成长曲线：
• 第一曲线：受益于国内存储（长江存储3D NAND、长鑫存储DRAM）扩产，对PECVD、ALD等设备需求持续提升。
• 第二曲线：三维集成设备（如混合键合设备），主要面向HBM、Chiplet等先进封装需求，验证和量产进展顺利，有望形成新的增长点。
• 财务预测：招商证券上修2026-2028年归母净利润至17.06亿元、25.77亿元、38.25亿元，对应PE为98.7倍、65.4倍、44.1倍。
• 产能与投资：沈阳产业化基地（二厂）已开始建设，以应对旺盛需求。同时参股成立辽宁聚芯，聚焦核心零部件研发。

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潜在影响

• 行业景气度提升：AI基础设施建设（高压直流供电）和国内半导体自主化进程（存储/先进封装）将共同驱动上游设备和芯片需求的持续增长，相关产业链公司有望迎来业绩与估值的双重提升。
• 技术迭代加速：为满足更高功率的AI计算需求，SiC等第三代半导体和更高精度的薄膜沉积设备技术将加速渗透。同时，3D堆叠和Chiplet技术将推动混合键合等新设备市场扩容。

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关注要点

• 士兰微：关注其8英寸SiC产线和12英寸高端模拟产线在2026年的量产爬坡进度及良率情况；关注其SiC/MOSFET产品在AI电源及汽车领域的客户拓展与订单情况。
• 拓荆科技：关注国内主要存储厂商（长江存储、长鑫存储）的实际扩产节奏和资本开支计划；关注其三维集成（混合键合）设备通过客户验证并获得批量订单的里程碑事件。

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关联个股

• 士兰微（600460）
• 拓荆科技（688072）

【风口研报·公司】AI机柜功率推动功率+模拟半导体价值量抬升，这家公司MOS产品批量应用于AI电源，多个新基地2026年内量产爬坡；国内存储+先进封装扩产趋势明确，这家前道设备核心和开拓展第一成长曲线

家前道设备龙头积极拓展第二成长曲线

风口研报

2026.06.04 17:44 星期四

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《风口研报》今日导读

1、士兰微（600460）：①纳微半导体（Navitas）宣布与英伟达MGX生态系统合作，加速800V直流人工智能基础设施建设，随着AI机柜功率向更高规格演进，功率半导体与模拟芯片在算力供电中的价值量同步抬升；②公司核心业务覆盖集成电路、分立器件、发光二极管三大板块，已在SiC、IGBT、MOSFET及电源管理相关产品形成布局，SIC-MOSFET已批量应用于AI算力中心电源；③公司规划总投资200亿元建设12英寸高端模拟集成电路芯片生产线；6英寸SiC产线月产能已达1万片，预计2026年实现满产；8英寸SiC功率器件芯片生产线已于2025年四季度通线，月产5000片，预计2026年下半年正式投产；④国信证券胡慧预计公司2026-2028年实现归母净利润8.09/12.17/16.09亿元，同比增长103.1%/50.4%/32.2%，对应PE分别为71.1/47.3/35.8倍；⑤风险提示：碳化硅拓展不及预期、下游需求不及预期。

2、拓荆科技（688072）：①公司为国内薄膜沉积设备龙头，从产业技术看，全球逻辑制程逐步向更前沿及3D堆叠进展，对薄膜沉积设备如PECVD及ALD等用量会显著增长；②国内存储扩产趋势明确，长江存储的3DNAND技术持续迭代，长鑫存储DDR5/LPDDR5产品已规模化量产，存储制造对PECVD、ALD及沟槽填充设备的需求将持续提升；③公司三维集成设备有望成为薄膜沉积之外的重要增量方向，当前三维集成设备验证和量产进展顺利，有望形成第二成长曲线；④招商证券鄂凡上修归母净利润至17.06/25.77/38.25亿元，对应PE为98.7/65.4/44.1倍；⑤风险提示：晶圆厂扩产不及预期等。

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主题一

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AI机柜功率推动功率+模拟半导体价值量抬升，这家公司SIC-MOSFET已批量应用于AIDC电源领域，多个新基地2026年内量产爬坡

6月3日，纳微半导体（Navitas）宣布与英伟达MGX生态系统合作，加速800V直流人工智能基础设施建设。公司在英伟达MGX生态系统活动中展示800V电源传输板，并同步推出面向电源传输场景的SiC配套解决方案。

随着AI机柜功率向更高规格演进，高压直流、SST与高压高频功率器件需求提升，功率半导体与模拟芯片在算力供电中的价值量同步抬升。

国信证券胡慧看好士兰微，深耕半导体IDM模式，核心业务覆盖集成电路、分立器件、发光二极管三大板块，涵盖从芯片设计、制造到封装的完整产业链。

当前公司全球份额稳步提升，碳化硅与高端模拟集成电路芯片产能加速布局。中长期看，8英寸SiC与12英寸高端模拟产能及良率爬坡，将成为公司从功率器件向模拟与功率双轮驱动延伸的重要支撑。

资料来源：Wind、国信证券经济研究所预测

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一、AI供电与新能源需求拉动高门槛产品，SiC已批量应用于算力中心电源

在AI服务器单机功率密度提升、数据中心供电效率要求提高的背景下，功率器件在高压、高频、高效率场景中的需求进一步增强。公司已在SiC、IGBT、MOSFET及电源管理相关产品形成布局，有望受益于汽车、光伏、AI算力中心电源等高门槛市场扩张。

2025年公司集成电路与分立器件业务稳步增长，高门槛产品占比超过80%。其中，集成电路业务收入49.24亿元，同比增长20%；分立器件业务收入63.79亿元，同比增长17%。

其中，应用于汽车、光伏的IGBT和SiC产品收入32.73亿元，同比增长43%；车规级SiC MOSFET模块累计出货超过10万颗，并已批量应用于AI算力中心电源。同时，公司SiC-MOSFET已迭代至第四代，第二代芯片配套电动汽车主驱模块累计出货超过10万颗，第四代SiC芯片与模块已开始批量交付。

二、12英寸高端模拟与SiC产线推进，IDM平台支撑产品矩阵升级

产能端，公司多条产线已处于高利用状态。2025年士兰集科12英寸线产出63.74万片，同比增长19%，实现营业收入31.87亿元，同比增长24%；士兰集成5/6英寸线产出277.10万片，同比增长18%；士兰集昕8/12英寸线产出81.95万片，同比增长10%，实现营业收入15.27亿元，同比增长7%，上述产线均实现满产。

新增产能方面，公司规划总投资200亿元建设12英寸高端模拟集成电路芯片生产线；6英寸SiC产线月产能已达1万片，预计2026年实现满产；8英寸SiC功率器件芯片生产线已于2025年四季度通线，月产5000片，预计2026年下半年正式投产。

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主题二

国内存储+先进封装扩产趋势明确，这家公司为前道设备龙头且积极拓展第二成长曲线，分析师上修盈利预测

招商证券鄢凡最新跟踪覆盖拓荆科技，公司为国内薄膜沉积设备龙头，并向混合键合等三维集成设备延伸。

薄膜沉积设备是前道芯片制造与先进封装的核心装备之一，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备矩阵。从产业技术看，全球逻辑制程逐步向更前沿及3D堆叠进展，对薄膜沉积设备如PECVD及ALD等用量会显著增长。

混合键合设备需求持续提升：先进键合设备主要承担晶圆或芯片的等离子活化、清洗、对准、键合和量测等工艺，随着HBM、Chiplet和三维堆叠需求增长，公司三维集成设备有望成为薄膜沉积之外的重要增量方向。

订单与客户验证方面，当前三维集成设备验证和量产进展顺利，有望形成第二成长曲线。

鄢凡认为，公司有望持续受益于国内存储扩产和工艺升级，同时混合键合有望陆续通过客户验证并逐渐起量。上修2026-2028年营收至88.77/127.01/176.78亿元，上修归母净利润至17.06/25.77/38.25亿元，对应PE为98.7/65.4/44.1倍。

资料来源：公司数据、招商证券

一、先进制程与存储升级持续打开薄膜沉积设备空间

国内存储扩产趋势明确，长江存储的3DNAND技术持续迭代，Xtacking4.0架构已推进至270层量产堆叠，三期预计2026年下半年投产并新增产能，12英寸总产有望持续增长并于2030年产能规模成为全球第一。

长鑫存储DDR5/LPDDR5产品已规模化量产，合肥一期、二期、北京产线预计2026年基本达产，同时上海临港新厂规划推进，12英寸总产能预计持续增长。随着3DNAND堆叠层数提升、DRAM更先进架构迭代，存储制造对PECVD、ALD及沟槽填充设备的需求将持续提升。

二、产业链投资与自建产能双向发力，持续强化供应链自主可控与交付能力

产能建设方面，公司沈阳产业化基地（沈阳二厂）已开始施工建设，匹配下游旺盛的设备需求及百亿在手订单交付压力，持续巩固公司国产设备龙头核心壁垒。

研发投入方面，公司拟重点开展PE-ALD和Thermal-ALD系列研发与迭代升级，同时对多种先进介质薄膜、先进硬掩模等PECVD研发与迭代升级，对沟槽填充CVD系列产品及工艺研发与优化。

产业链布局方面，2026年5月公司参股设立辽宁聚芯，出资2000万元持股20%为第一大股东，聚焦半导体装备核心零部件研发与产业化。