三星完成900层3D NAND原型开发，刻蚀设备需求有望显著提升

核心结论

三星电子利用单元多层键合技术成功开发出全球首款900层超高堆叠3D NAND闪存原型，验证了存储单元工作特性。随着堆叠层数持续增加，3D NAND对高深宽比刻蚀等关键设备的需求比例将大幅上升，国内刻蚀及薄膜沉积设备厂商有望受益。

关键信息

• 三星通过CMB技术将两片450层3D NAND连接，制成900层超高堆叠NAND原型，为全球首次实现该层级堆叠。
• 提升NAND集成度的主线已从缩小单层线宽转向增加堆叠层数，3D NAND制造最核心的工艺在于高深宽比刻蚀，需应对深宽比40：1以上的极高要求。
• 除刻蚀外，薄膜沉积、混合键合、CMP等工艺难度亦同步增加，设备在晶圆成本中的占比将持续提升。
• AI推理与大规模数据处理对非易失性存储的随机读取性能提出更高要求，有望推动产业对高性能NAND的重视。

潜在影响

• 全球NAND层数竞赛加剧，刻蚀及薄膜沉积设备需求上行，国内刻蚀、薄膜沉积设备商或迎来新一轮景气周期。
• 混合键合技术从长存Xtacking验证延伸至三星方案，未来键合设备需求可能同步增长。
• 受益于工艺升级，设备价值量占比提升，相关龙头盈利能力有望增强。

关注要点

• 三星900层NAND后续量产时间表及良率爬坡进展。
• 国内存储厂对高堆叠层数的追赶节奏及设备国产化导入情况。
• 高深宽比刻蚀、低温刻蚀及混合键合等细分环节的设备订单变化。

关联个股

• 北方华创：公司刻蚀、薄膜沉积、热处理等设备可覆盖DRAM及NAND存储产线多种技术需求，有望受益于NAND工艺升级带来的设备采购。
• 英杰电气：公司半导体电源已批量供应刻蚀、薄膜沉积等环节头部客户，并逐步拓展更多设备及晶圆厂合作，将受益于刻蚀设备放量。

【电报解读】三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发，机构称3D NAND对刻蚀设备的需求比例将显著加大，这家公司的刻蚀设备可覆盖DRAM及NAND存储产线多种设备的技术需求

电报解读

2026.05.25 20:02 星期一

Ⅱ 电报内容

【消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发】《科创板日报》25日讯，三星电子近期利用单元多层键合（CMB）技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。（ETNews）

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一、3D NAND对刻蚀设备的需求比例显著加大

在易失性存储（如DRAM）在HBM、HMC等领域突破后，随着AI推理及应用市场的持续扩张，尽管高带宽内存（HBM）解决了核心计算单元的数据吞吐问题，但在海量数据集的检索、向量数据库的索引遍历以及大模型的检查点恢复过程中，底层非易失性存储（NANDFlash）的读写性能，尤其是随机读取（IOPS）和能效比已成为制约系统整体效率的关键短板。下一步在非易失性存储（NAND、HDD）领域或将引起行业重视。

从制造工艺上而言，3D结构的NAND存储工艺难点在于高深宽比的刻蚀工艺、薄膜沉积及未来可能成为主流的混合键合工艺，如长江存储在Xtacking 2.0阶段采用键合工艺将层数由64层扩展至128层，也验证了键合工艺的重要性。

对于半导体产业链而言，AI-NAND的发展意味着低温刻蚀、混合键合、薄膜沉积、CMP技术的设备商或将迎来NAND推动下的景气周期。由于工艺复杂度提升，设备在晶圆成本中的占比将持续上升。

广发证券王亮认为，目前提升存储器件集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽，而是增加堆叠的层数。在3DNAND中，垂直堆叠的存储单元层通过垂直通孔相互连接，存储容量随着堆叠层数的增加而增加。目前3DNAND最多可以堆叠至232层。3DNAND中垂直通孔、侧面阶梯、多层触点等复杂的三维结构需要大量刻蚀工艺环节，相比于2DNAND，对刻蚀设备的需求比例显著加大。

其指出，高深宽比刻蚀是3DNAND制造中最核心的技术，主要用于形成层间垂直通孔、狭缝和多层触点等结构。随着3DNAND堆叠层数不断增加，刻蚀深度加深，深宽比增加，刻蚀工艺难度也不断提升。深宽比在40：1以上的极高深宽比刻蚀面临着刻蚀速率降低、弓形弯曲、扭曲等挑战，对刻蚀设备的性能指标提出了更高的要求，需要刻蚀设备具有更大的等离子体密度、更高的离子溅射、更高的工艺气体流速、更长的工艺时间和更低的压力。

二、相关上市公司：英杰电气、北方华创

英杰电气：公司半导体电源已批量服务刻蚀、薄膜沉积、晶圆制造三大环节头部客户，目前业务体量占比以中微公司和拓荆科技为主，晶圆厂也有供应，正在逐步拓展与更多的半导体设备厂家以及晶圆厂的合作。

北方华创：公司刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影等设备，可覆盖DRAM及NAND存储产线多种设备的技术需求。

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