先进制程刻蚀设备简报

核心结论

随着3D NAND堆叠层数持续提升并向更高层数演进，高深宽比刻蚀已成先进制程刚需，显著拉动高端刻蚀及薄膜沉积设备需求。具备核心技术的平台型设备商与细分龙头将持续受益，其中迈为股份的刻蚀与ALD设备已成功导入头部晶圆厂供应链。

关键信息

• 技术驱动： 2D存储器件线宽逼近物理极限，NAND闪存全面转向3D架构，制程层数从128层向300层乃至1000层迈进，驱动刻蚀技术不断迭代。
• 高深宽比要求： 3D NAND通孔需在百纳米级孔径下实现10微米级深度，加工深宽比从30:1提升至60:1、90:1以上；逻辑器件GAA晶体管及先进封装深沟槽同样需要高深宽比刻蚀。
• 设备价值量： 刻蚀设备与薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%，是前道工艺中制程步骤最多、开发难度最大的核心设备。
• 投资乘数效应： 多重曝光、先进材料替代及新型结构引入使设备数量与工艺复杂度同步提升，技术节点越先进单设备投资越高。
• 相关公司进展： 迈为股份的高选择比刻蚀设备及ALD设备已完成多批次客户交付，切入国内头部晶圆厂和存储厂商量产供应链；中微公司已开发20种等离子体刻蚀设备，积累大量量产验证数据。

潜在影响

• 高端刻蚀与薄膜沉积设备需求将随层数增加而持续放大，订单有望快速增长。
• 国产设备在头部晶圆厂的验证与放量，将加速半导体设备国产替代进程。
• 技术领先的平台型设备商市场份额有望进一步提升，供应链核心地位巩固。

关注要点

• 3D NAND主流厂商堆叠层数提升节奏及对应的设备采购规划。
• 高深宽比刻蚀设备的技术迭代与国产化率变化趋势。
• 迈为股份、中微公司等厂商在关键客户处的份额提升及新品验证进度。
• 逻辑芯片及先进封装领域对高深宽比刻蚀的需求增量。

关联个股

• 中微公司（等离子体刻蚀设备系列完整，量产验证丰富）
• 迈为股份（刻蚀与ALD设备已切入头部晶圆厂供应链）

【盘中宝】随着先进制程堆叠层数的增加，这类产品越来越成为关键核心的设备，这家公司产品已切入头部厂商供应链

盘中宝

2026.05.25 14:35 星期一

财联社资讯获悉，当前集成电路2D存储器件线宽逼近物理极限，NAND闪存已全面迈入3D架构时代。制程层数提升持续驱动刻蚀技术迭代，也显著加大对高端刻蚀设备的需求比重。

一、高深宽比刻蚀成为先进制程的刚需

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晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、量检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积设备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中制程步骤数量庞大，工艺开发颇具挑战性的三类核心设备。根据Gartner历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成为关键核心的设备。制程层数提升持续驱动刻蚀技术迭代，也显著加大对高端刻蚀设备的需求比重。

随着3D结构普及，高深宽比刻蚀成为先进制程的刚需。典型如3D NAND通孔结构，需在百纳米级孔径下实现10微米级深度，加工深宽比从30:1逐步提升至60:1、90:1以上，以支持堆叠层数从128层迈向300层甚至1000层。逻辑器件中的GAA晶体管、先进封装中的深沟槽结构也对HAR刻蚀提出更高要求。东吴证券指出，多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入，使设备数量与工艺复杂度同步提升，设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应，核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。

二、相关上市公司：迈为股份、中微公司

迈为股份重点布局刻蚀设备、薄膜沉积设备，其中半导体高选择比刻蚀设备、原子层沉积（ALD）设备凭借差异化技术创新实现关键技术突破，已完成多批次客户交付，成功切入多家国内头部晶圆厂及存储厂商的量产供应链。

中微公司在过去的20多年着力开发了一个完整系列的20种等离子体刻蚀设备，并积累了大量的芯片生产线量产数据和客户验证数据。