中文 Markdown 简报：三星电机获1.5万亿韩元硅电容大单

核心结论

MLCC龙头三星电机宣布获得一家全球大型企业价值约1.5万亿韩元（约人民币68亿元）的硅电容供应合同，标志着硅电容技术首次实现大规模供货，并已进入AI半导体核心供应链。该事件凸显了硅电容在AI数据中心、高速光模块等前沿领域的关键地位和巨大需求潜力。

关键信息

• 合同规模与期限：三星电机与某全球大型企业签署了为期两年（2027年1月1日至2028年12月31日）的硅电容供应合同。
• 战略意义：此为三星电机硅电容业务首次实现大规模供货，凭借其在MLCC和封装基板领域的超微细工艺，成功切入AI半导体核心供应链。
• 技术优势与应用：硅电容相比传统MLCC，具有更薄、容量更大、高频和温度特性更优异的特点。其作为隔直电容，在400G/800G/1.6T等高速率光模块中应用广泛，能有效优化信号传输质量，满足数据中心高密度、高速率场景的需求。

潜在影响

• 市场验证：巨额订单是对硅电容技术路线和市场需求的有力验证，预示着该细分市场将进入快速增长期。
• 产业链刺激：三星电机的大规模供应布局或将带动上游设备、材料以及下游应用（尤其是AI服务器和光模块）对硅电容的进一步导入和需求增长。
• 国产替代机遇：在国际龙头明确加码的背景下，国内已在该领域有技术储备和产品布局的厂商，可能迎来更有利的国产替代窗口期和资本关注度。

关注要点

• 下游客户身份：合同中的“全球大型企业”具体身份待明确，可能是某AI芯片巨头或云服务厂商，其需求动向对行业有风向标意义。
• 技术演进方向：关注平面型、沟槽型、3D结构等更高性能硅电容的技术成熟度和商业化进展。
• 竞争格局演变：关注该订单对MLCC和硅电容市场格局的影响，以及其他被动元件厂商如何应对这一趋势。

关联个股

• 雅创电子：公司控股子公司代理分销的被动器件包含硅电容，产品涉及光模块和AI服务器领域。
• 宏达电子：公司已成功研发内部结构为平面型的硅电容器，为后续高性能硅电容开发奠定了技术基础。
• 鸿远电子：公司聚焦硅电容和高性能多层芯片电容器等产品研发，并已推出硅电容系列新产品。
• 深圳华强：公司依托全球龙头产品线资源，向光模块客户供应MLCC、硅电容等元器件。
• 赛微电子：旗下赛莱克斯北京正在积极推进3D硅电容等MEMS器件从工艺开发向量产阶段推进。
• 敏芯股份：公司在研项目包括硅电容等器件，为进军光通信等新兴市场做准备。

【电报解读】三星电机获得“全球大型企业”1.5万亿韩元硅电容器供应合同，公开资料显示硅电容在光模块中作为隔直电容应用广泛，适用于数据中心等高密度、高速率场景，快速整理硅电容相关标的（附表）

电报解读

2026.05.20 16:50 星期三

Ⅱ 电报解读

一、硅电容在光模块中作为隔直电容应用广泛，适用于数据中心等高密度、高速率场景

近年来，随着智能手机等设备的功能增加和性能提升，对小型、薄型且支持高密度安装的电容器的需求日益增加。特别是采用薄膜半导体技术的硅电容器，因其与多层陶瓷电容器（MLCC）相比具有厚度更薄、电容量更大，温度特性更优异、即使在高温环境下也不容易发生电容量变化等优点，因此预计未来需求仍将保持强劲态势。

电容器是一种蓄电元件，可将电荷储存在夹在电极与电极之间的称为“电介质”的可蓄电绝缘体中。使用氧化硅或氮化硅作为电介质的即为硅电容器。

电容器的电容量与电极和电介质的表面积成正比。硅电介质易于加工，而且易于形成目标厚度，通过在器件内部设计沟槽（深槽）结构，还可以增加电路板单位面积的电介质表面积，从而可以同时实现小型化和更大容量。另外，与MLCC相比，还具有出色的高频特性和温度特性。

硅电容在光模块中作为隔直电容（交流耦合）应用广泛，主要利用其小尺寸、高频低插损特性优化信号传输质量，适用于数据中心等高密度、高速率场景。光模块是光电转换的核心器件，需在极小尺寸内实现高频信号处理（如400G/800G/1.6T速率）。其内部通道数随速率提升而增加，但物理空间受限，导致单通道尺寸缩小，对元件的小型化、集成化及高频性能提出严苛要求。

硅电容凭借以下特性成为关键解决方案：一是尺寸优势。硅电容体积远小于陶瓷电容，且一致性更高，适合高密度布局。二是高频性能。低等效串联电感（ESL）和低等效串联电阻（ESR），显著降低高频信号插损。三是集成能力。可将差分信号的两颗电容集成于单一硅电容中，优化走线并提升信号质量。四是优化空间与走线。光模块通道数增加导致单通道尺寸缩小，传统分立电容占用空间大且走线复杂。硅电容通过集成差分电容，减少元件数量并简化布局，同时降低寄生电感，提升信号完整性。

二、相关上市公司：雅创电子、宏达电子

雅创电子：公司控股子公司代理分销的被动器件如硅电容、高频磁珠、陶瓷电容等涉及上述光模块产品的应用；在AI服务器领域，公司现已布局存储器、MCU、电源模块、风扇、被动器件等产品线。

宏达电子：公司相关项目基于硅基材料与半导体工艺，成功研发内部结构为平面型的硅电容器，为沟槽型、3D结构等高性能硅电容器的后续发展奠定坚实技术基础与工艺借鉴。作为硅电容器技术的核心基础产品，项目的研发积累了关键半导体制造经验，推动电子元器件技术迭代升级。

C 财联社

硅电容相关标的

电报解读

火线解读！即时推送重要资讯独家深度解析

¥ 898 起

目

剩余28天到期 立即续费

展开

最新⽂章

已购