磷化铟简报

核心结论

磷化铟（InP）衬底已成为光通信核心基础材料，其战略稀缺性短期内难以缓解。AI数据中心大规模建设驱动光模块向1.6T/3.2T及CPO演进，令磷化铟需求激增，而供给端受长周期、高壁垒、重资产等约束，有效产能远不能满足需求，供需缺口超70%。

关键信息

• 材料特性：磷化铟电子迁移率是硅的4倍以上，具备直接带隙与通信窗口精准匹配的优势，成为1.6T及CPO时代高速光芯片不可替代的物理基石。
• 需求爆发逻辑：光模块从800G向1.6T乃至3.2T升级，带动单模块磷化铟芯片用量倍数增长；CPO技术要求的激光器阵列化推动衬底尺寸由2英寸向6英寸跨越。
• 供给刚性：衬底生产需高温高压极端环境控制，设备交付慢、良率爬坡难且客户认证期长达两年，形成极高行业护城河。
• 产能缺口：Yole预测2026年全球需求260万～300万片，有效产能仅约75万片，缺口仍在70%以上。
• 国内相关公司：
• 云南锗业：高品质磷化铟单晶片建设项目按计划推进，产能随建设进度逐步释放；控股子公司鑫耀半导体的磷化铟晶片可用于光模块激光器、探测器芯片。
• 南大光电：三甲基铟年产能5吨，其中可用于磷化铟外延生长的高纯三甲基铟年产能约1.5吨。

潜在影响

• 磷化铟供给缺口持续扩大，可能制约高速光模块出货节奏，相关衬底及上游材料供应商议价能力提升。
• 拥有量产能力和认证先发优势的企业有望享受量价齐升红利。
• 下游AI数据中心、光通信设备厂商的供应链安全风险上升，可能加速对上游的战略性锁定或投资。

关注要点

• 国内磷化铟单晶片项目的实际投产进度与良率提升情况。
• 衬底尺寸向6英寸切换的产业化进展以及对成本的影响。
• 海外龙头（如住友、AXT等）扩产动态，全球有效产能的实际变化。
• 1.6T/3.2T光模块及CPO商用节奏对磷化铟需求拉动的兑现速度。

关联个股

• 云南锗业
• 南大光电

【盘中宝】短期内难以缓解的战略性稀缺资源，AI数据中心的大规模建设极大拉动该产品需求，这家公司相关产品可用

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盘中宝

2026.05.19 13:54 星期二

财联社资讯获悉，AI算力增长驱动光器件需求，机构指出，磷化铟凭借超高电子迁移率与精准匹配通信窗口的直接带隙特性，有望成为1.6T及CPO时代高速光芯片不可替代的物理基石。

一、磷化铟衬底成为短期内难以缓解的战略性稀缺资源

磷化铟（InP）作为第二代化合物半导体的核心，相较于传统硅材料，磷化铟拥有其4倍以上的电子迁移率，这使其在高频高速场景下展现出卓越的性能。随着光模块从800G向1.6T乃至3.2T演进，单颗模块对磷化铟芯片的需求量呈倍数增长，且1.6T及CPO技术要求的激光器阵列化，迫使衬底尺寸从2英寸向6英寸跨越。这种从“分立器件”向“大规模阵列”的迭代，不仅对衬底的晶体质量、表面平整度提出了极致要求，更确立了磷化铟作为光通信核心衬底、量子计算及卫星通信关键材料的基础性地位。

东吴证券指出，磷化铟产业链表现出极高的进入壁垒与严重的供需错配。AI数据中心的大规模建设极大拉动磷化铟的需求，但磷化铟衬底生产需在高温高压下进行极端的环境控制，叠加设备交付慢、良率爬坡难及长达两年的客户认证期。这种长周期、技术壁垒高、重资产的特性，构筑了极强的行业护城河，使磷化铟衬底成为短期内难以缓解的战略性稀缺资源。Yole预测2026年全球需求飙升至260万至300万片，有效产能仅提升至75万片左右，缺口仍在70%以上。

二、相关上市公司：云南锗业、南大光电

云南锗业“高品质磷化铟单晶片建设项目”建设工作正按计划开展，项目产能将随着建设进度逐步释放。控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司生产的磷化铟晶片可以用于生产光模块中的激光器、探测器芯片。

南大光电三甲基铟年产能共计5吨，其中可用于磷化铟外延生长的高纯三甲基铟年产能约为1.5吨。