存储芯片市场简报：供需失衡加剧，涨价周期超预期延续

核心结论

存储芯片市场正经历一轮由AI驱动的超级景气周期。NAND与DRAM芯片价格暴涨，且供应短缺问题结构性深化，预计将持续至2030年。这为具备核心测试能力与产品布局的厂商带来持续利好。

关键信息

• 价格极端上涨：自2025年9月底至今，NAND芯片合同价涨幅已超600%，DRAM芯片合同价涨幅近400%。摩根大通预测，在AI需求推动下，价格涨势将延续至2027-2028年。
• 供应短缺长期化：群联电子CEO预测，DRAM和NAND短缺问题将至少持续到2030年。晶圆厂处于绝对优势地位，已出现要求客户预付3年产能款项的极端情况。
• 需求结构质变：英伟达下一代AI基础设施预计将吞噬超20%的全球NAND产量。随着AI推理应用扩大，北美CSP强劲拉货，2026年Q1企业级SSD价格预计将出现53-58%的单季历史最高涨幅。
• 市场洗牌预警：因供应不足，预计2026年将有大量公司被迫停产，低利润品牌将退出市场，低端产品面临消失。

潜在影响

• 供应端风险：上游晶圆厂产能分配的“极化”，将进一步挤出非AI、非企业级应用（如消费电子）的芯片供应，下游中小厂商生存空间受挤压。
• 市场格局重塑：低端品牌出清将形成市场真空，市场份额有望向技术领先、具备稳定供应链和高端产品测试能力的头部厂商集中。

关注要点

• AI推理需求增量：闪迪预测AI推理在2027年将带来75-100EB的存储增量，此需求是否如期落地及其对服务器存储的拉动效果，是判断行情持续性的核心要点。
• 供需逆转拐点：需密切跟踪全球各大存储原厂的新建晶圆厂投产进度与良率爬坡情况，这将成为判断市场供需何时趋于平衡的关键信号。

关联个股

• 佰维存储：公司在NAND Flash及DRAM的ATE测试、老化测试、SLT测试环节拥有全栈测试开发能力，有望受益于高端企业级存储及晶圆测试需求的增长。
• 兆易创新：产品线覆盖NOR Flash、SLC NAND Flash及DRAM，已在工业、汽车、消费电子等领域实现全品类覆盖，有望凭借产品布局受益于此轮涨价周期。

（注：原文提及佰维存储上涨6.32%，兆易创新上涨3.24%。）

【电报解读】NAND芯片合同价8个月涨幅超600%，业内大厂预计存储芯片短缺将至少持续到2030年，这家公司在多个相关测试环节拥有全栈测试开发能力

电报解读

2026.05.13 20:53 星期三

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【NAND芯片合同价8个月涨幅超600%】《科创板日报》13日讯，据报道，自2025年9月底以来，NAND芯片的合同价格上涨超过600%，而DRAM芯片的合同价格上涨近400%。摩根大通最新报告称，由于人工智能推动的需求持续超过供应，库存紧张，HBM供应被多季度的价格和数量协议锁定，预计存储芯片价格和销量将在2027-2028年继续上涨。

∥电报解读

一、DRAM和NAND存储芯片短缺恐持续至2030年

近日，群联电子（Phison）首席执行官潘健成称，DRAM内存和NAND闪存短缺问题的严重程度远超市场预期，且因结构性转变持续至2030年以后。潘健成指出目前晶圆厂处于绝对的卖方市场地位，甚至提出了史无前例的付款条件：客户需预付未来3年的产能款项。行业内部估算显示，这一供应短缺局面将至少持续到2030年，甚至可能长达十年且看不到尽头。

潘健成预测，从2025年底到2026年，许多公司将因无法确保足够的内存供应，而被迫停产或退出产品线。到2026年下半年，大量低利润品牌将倒闭离场，低端产品将从市场上彻底消失，从而形成市场真空，直到供应恢复后市场增长才会再次爆发。

潘健成特别提到，英伟达下一代 Vera Rubin AI基础设施及其ICMS平台对存储规格要求极高，单一产品线就可能吞噬超过20%的全球NAND产量。业界目前尚未完全将这种巨大的企业级需求计算在内，一旦需求爆发，将进一步挤压消费级市场的生存空间。

二、随着推理AI应用场景扩大，市场对高效能储存设备的需求远高于预期

东方证券指出，AI算力等相关需求在存储需求中逐步占据主导地位，带动存储紧缺持续。NAND方面，随着推理AI应用场景扩大，市场对高效能储存设备的需求远高于预期，北美各大CSP自2025年底起开始强力拉货，刺激Enterprise SSD订单爆发。在供给缺口持续扩大的情况下，买方激进囤货以尽早补足库存，推升2026年第一季Enterprise SSD价格将季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录。

此外其表示，CES 2026上英伟达推出推理上下文内存存储平台，闪迪预计相关设计在2027年有望带来额外的75-100EB的存储需求增量，并在2028年进一步翻倍。展望未来，AI推理对于存储的增量需求仍将持续被挖掘，面向服务器的DRAM和NAND等整体需求有望持续高速增长。

三、相关上市公司：佰维存储、兆易创新

佰维存储：公司在NAND Flash及DRAM存储芯片领域的ATE测试、Burn-in（老化）测试、SLT（系统级）测试等多个环节，拥有从测试设备硬件开发、测试算法开发以及测试自动化软件平台开发的全栈测试开发能力。

兆易创新：公司存储产品包括NOR Flash、SLC NAND Flash及DRAM产品。公司NOR Flash产品容量覆盖512Kb~2Gb，广泛应用于工业、消费类电子、汽车、物联网、计算、移动应用以及网络和电信行业等各个领域。在SLC NAND Flash产品，容量覆盖1Gb~8Gb，其中SPI NAND Flash在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。

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