【电报解读】光模块产能释放加剧材料紧缺，薄膜铌酸锂或成下一代高速光信号主流调制材料，机构看好随着3.2......

# 光模块材料革新：薄膜铌酸锂或成下一代高速调制主流材料
## 核心结论
随着AI芯片迭代推动光模块向3.2T演进，**薄膜铌酸锂**凭借高带宽、低功耗等优势，有望成为下一代高速光信号调制的关键材料。机构预测，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间可达近30亿元，2029-2031年复合年增长率（CAGR）预计高达271%。
## 关键信息
- **技术背景**：光模块正从400G、800G向1.6T、3.2T演进，单通道调制速率需达到400G。薄膜铌酸锂在带宽、驱动电压和线性度上优于磷化铟和硅基材料，被视为引发光子学革命的关键材料。
- **市场预测**：LightCounting预计，2026年全球以太网光模块市场规模有望达260.84亿美元，800G及1.6T渗透率将大幅提升；2028年3.2T光模块市场规模有望达13.96亿美元，2031年或增至240亿美元。
- **产业链环节**：薄膜铌酸锂产业链包括铌酸锂晶体材料、薄膜铌酸锂晶圆、薄膜铌酸锂调制器（芯片），各环节技术壁垒较高，国内厂商已在相关领域取得进展。
## 潜在影响
1. **技术替代**：薄膜铌酸锂可能逐步替代现有调制材料，成为高速光模块的主流选择。
2. **市场增长**：3.2T光模块的加速导入将带动薄膜铌酸锂需求激增，创造新的市场增长点。
3. **国产化机遇**：国内企业在铌酸锂晶体、薄膜制备及调制器芯片等环节的突破，有望提升在高端光器件领域的自主可控能力。
## 关注要点
- **技术成熟度**：薄膜铌酸锂调制器的量产能力和可靠性仍需验证。
- **成本与渗透率**：材料成本及在3.2T光模块中的实际渗透率将影响商业化速度。
- **竞争格局**：硅光、磷化铟等其他技术路径的进展可能影响薄膜铌酸锂的市场份额。
## 关联个股
- **天通股份**：生产铌酸锂单晶材料，为薄膜铌酸锂调制器的上游关键原材料供应商。
- **芯碁微装**：在微纳直写光刻领域有技术积累，其设备支持铌酸锂调制器芯片的图形化制程。
- **光库科技**：铌酸锂调制器芯片及器件已应用于100Gbps以上长距骨干网和高速数据中心。
- **长光华芯**：在硅光、薄膜铌酸锂等下一代技术方向有前瞻布局。
- **中天科技**：布局基于薄膜铌酸锂的单波长200Gbps、400Gbps调制技术，瞄准1.6T、3.2T光模块市场。
- **新易盛**：已推出基于薄膜铌酸锂方案的400G、800G、1.6T系列高速光模块产品。
- **其他相关公司**：海目星、光迅科技、联特科技、德科立、华工科技、锭有科技等均在薄膜铌酸锂相关技术或产品方面有所布局或关注。
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**说明**：本简报基于提供的公开信息整理，市场预测及技术发展存在不确定性，实际进展需进一步跟踪。

【电报解读】光模块产能释放加剧材料紧缺，薄膜铌酸锂或成下一代高速光信号主流调制材料，机构看好随着3.2T光模块的渐行渐近，薄膜铌酸锂有望迎来导入机遇，快速梳理薄膜铌酸锂相关公司（附表）

电报解读

2026.04.26 16:39 星期日

电报内容

【光模块产能持续释放 薄膜铌酸锂或成下一代高速光信号主流调制材料】财联社4月26日电，随着AI芯片持续迭代升级，数据中心光模块已实现从400G、800G到1.6T的演进。LightCounting今年1月发布的数据显示，2026年全球以太网光模块市场规模有望达260.84亿美元，其中800G及1.6T光模块合计渗透率较2023年提升53.67个百分点。在此趋势下，3.2T光模块或迎来加速导入，LightCounting预计2028年3.2T光模块市场规模有望达13.96亿美元，2031年有望提升至240亿美元。而3.2T光模块单通道调制速率需达到400G，华泰证券指出，薄膜铌酸锂迎来导入机遇。据其测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间有望近30亿元，对应2029~2031年CAGR达271%。中金公司也指出，在光调制器领域，薄膜铌酸锂相比磷化铟、硅基两类材料，在高带宽、低驱动电压和高线性度等方面具有优势。薄膜铌酸锂有望成为支撑未来更高速光传输调制环节的重要材料。

Ⅱ电报解读

一、铌酸锂对于光学的意义相当于硅对于电子学的意义

铌酸锂被视为引发光子学革命的材料，哈佛大学下辖学院在2017年发表的“Now entering, Lithium Niobate Valley”中对铌酸锂进行了盛赞，称铌酸锂对于光学的意义相当于硅对于电子学的意义。

电光调制器是光模块中最关键的部件之一，可以将电信号转换为光信号。目前行业内光调制的技术主要有三种：基于硅光、磷化铟和铌酸锂材料平台的电光调制器。体材料铌酸锂调制器是大容量光纤传输网络和高速光电信息处理系统中的关键器件，具有带宽高、稳定性好、信噪比高、传输损耗小、工艺成熟等优点，是当前电光调制器市场的主流产品。

随着5G网络和数据通信的高速发展，带动核心光网络向超高速和超远距离传输升级，对光通信骨干网的需求也不断增加，铌酸锂调制器作为光通信骨干网的核心光器件之一，因其固有的优点迎来重大发展机遇。

二、随着3.2T光模块的渐行渐近，薄膜铌酸锂有望迎来导入机遇

随着3.2T光模块的渐行渐近，单通道调制速率需达到400G，华泰证券判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制器具备超高带宽32低功耗、低损耗等方面优势，有望迎来导入机遇。华泰证券研报指出，薄膜铌酸锂的产业链可划分为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），各环节均具备较高技术壁垒，我国厂商在以上各领域均已取得积极进展，看好相关厂商在3.2T时代有望迎接广阔发展机遇。

根据其测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间有望近30亿元，对应2029~2031年CAGR达271%。

图表22：薄膜铌酸锂调制器市场规模定量测算

三、相关上市公司：芯碁微装、天通股份

芯基微装：薄膜铌酸锂调制器芯片的关键制备技术主要集中于铌酸锂薄膜的图形化，公司在微纳直写光刻核心技术领域具有丰富的技术积累，作为光刻技术领域里拥有关键核心技术的直写光刻设备的国产供应商，公司直写光刻设备在满足较高的加工精细度的同时，能实现版图设计灵活、无需掩膜版直接曝光等优点，支持铌酸锂光调制器芯片的图形化曝光制程，目前已有机台发至客户端。

天通股份：基于薄膜铌酸锂材料的器件可应用于1.6T光模块。公司生产的铌酸锂单晶材料是薄膜铌酸锂调制器的上游关键原材料。公司已经掌握了铌酸锂晶体材料制备的关键核心技术。

C 财联社

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