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【风口研报·公司】AI先进封装+能源变革的“核心基石”,这家公司产品迎来数据中心、CoWoS封装、TF......
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关键信息
AI Report
AI 简报
天岳先进(688234)深度简报
核心结论
天岳先进作为全球碳化硅单晶衬底领域的头部企业,凭借其在8英寸及12英寸大尺寸衬底量产上的先发优势,深度受益于AI算力爆发(英伟达Rubin架构)与能源变革(数据中心、光伏储能)的双重驱动。公司产能利用率长期维持在90%以上,客户粘性强,预计2027年有望实现业绩扭亏为盈。
关键信息
- 核心产品与技术:
- 主营导电型和半绝缘型碳化硅单晶衬底。
- 全球少数实现8英寸衬底量产的企业,12英寸产品已实现首发。
- 半绝缘型衬底依托高阻特性,赋能射频与光学应用。
- 增量场景:
- AI先进封装: 英伟达新一代Rubin处理器计划将硅基中间基板更换为碳化硅基板。
- 能源与通信: 数据中心电源、光伏储能、5G基站、TF-SAW滤波器。
- 新兴穿戴: AI/AR眼镜(预计2030年碳化硅基SRG波导市场规模超6000万件)。
- 产能与客户:
- 产能跨越式增长:2022-2024年总产能从7.5万片增至42万片。
- 产能利用率长期保持90%以上高位。
- 已与全球前十大功率半导体巨头中的半数以上建立合作。
- 财务预测(天风证券):
- 预计2025-2027年归母净利润分别为 -2.08亿、1.45亿、3.15亿元。
- 对应PE分别为 -225.42倍、324.68倍、149.01倍。
潜在影响
- AI算力散热瓶颈突破: 碳化硅高热导率特性将显著提升AI芯片散热效率,解决高性能计算中的电力供需与低碳化难题。
- 市场空间扩容: 碳化硅在高性能计算领域的渗透速度可能超出市场对新能源汽车单一驱动的预期,行业至2030年复合增长率预计达37.1%。
- 业绩拐点预期: 随着大尺寸产品放量及行业景气度提升,公司有望在2027年实现业绩的显著增长(同比增长117.89%)。
关注要点
- 技术迭代进度: 关注12英寸衬底量产后的良率提升及成本下降情况。
- 客户验证进展: 重点跟踪英伟达Rubin架构的供应链落地情况,以及与全球功率半导体巨头的合作深度。
- 财务兑现情况: 关注2025-2027年业绩预测的执行情况,特别是营收增长与毛利率回升的持续性。
关联个股
- 天岳先进 (688234)
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正文
【风口研报·公司】AI先进封装+能源变革的“核心基石”,这家公司产品迎来数据中心、CoWoS封装、TF-SAW滤波器等关键增量场景,产能利用率长期保持90%以上
2026.04.13 10:44 星期一
风口研报
天岳先进(688234)精要:
①英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中,计划将原本使用的硅基中间基板更换为碳化硅中间基板,公司作为全球少数实现8英寸衬底量产的企业,有望深度受益于AI与能源驱动的市场扩容;
②公司的半绝缘型衬底正依托高阻特性赋能射频与光学应用。该产品不仅适配5G通信基站,且在AI/AR眼镜领域具备广阔前景,预计到2030年,碳化硅基SRG波导在全球AI眼镜市场的潜在规模将超过6000万件;
③在产业化方面,公司实现了2022-2024年总产能从7.5万片向42万片的跨越式增长,且产能利用率长期保持在90%以上的高位;
④天风证券李双亮预计公司2025-2027年实现归母净利润-2.08/1.45/3.15亿元,同比增长-216.36%/-169.43%/117.89%,对应PE分别为-225.42/324.68/149.01倍;
⑤风险提示:研发风险、竞争风险。
AI先进封装+能源变革的“核心基石”,这家公司产品迎来数据中心、CoWoS封装、TF-SAW滤波器等关键增量场景,产能利用率长期保持90%以上
生成式AI的渗透使数据中心电力需求激增,碳化硅基功率器件因高功率密度成为缓解电力供需、实现低碳化的关键。
天风证券李双亮最新覆盖天岳先进,公司主营业务为碳化硅单晶衬底的研发、生产和销售,核心产品涵盖导电型和半绝缘型衬底。碳化硅的高热导率能显著提升AI芯片的散热效率,作为全球少数实现8英寸衬底量产的企业,公司有望深度受益于AI与能源驱动的市场扩容。
公司的半绝缘型衬底正依托高阻特性赋能射频与光学应用。该产品不仅适配5G通信基站,且在AI/AR眼镜领域具备广阔前景。预计到2030年,碳化硅基SRG波导在全球AI眼镜市场的潜在规模将超过6000万件。
李双亮预计公司2025-2027年实现归母净利润-2.08/1.45/3.15亿元,同比增长-216.36%/-169.43%/117.89%,对应PE分别为-225.42/324.68/149.01倍。
| 财务数据和估值 | 2024 | 2025 | 2026E | 2027E | 2028E |
|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入(百万元) | 1,768.14 | 1,464.88 | 1,966.09 | 2,529.50 | 3,128.76 |
| 增长率(%) | 41.37 | (17.15) | 34.22 | 28.66 | 23.69 |
| EBITDA(百万元) | 599.86 | 356.80 | 451.18 | 615.80 | 681.39 |
| 归属母公司净利润(百万元) | 179.03 | (208.32) | 144.63 | 315.14 | 356.84 |
| 增长率(%) | (491.56) | (216.36) | (169.43) | 117.89 | 13.23 |
| EPS(元/股) | 0.42 | (0.43) | 0.30 | 0.65 | 0.74 |
| 市盈率(P/E) | 232.59 | (225.42) | 324.68 | 149.01 | 131.60 |
| 市净率(P/B) | 7.84 | 6.55 | 6.40 | 6.15 | 5.87 |
| 市销率(P/S) | 23.55 | 32.06 | 23.88 | 18.56 | 15.01 |
| EV/EBITDA | 35.41 | 113.66 | 98.56 | 72.87 | 65.57 |
资料来源:wind,天风证券研究所
一、能源与AI双轮驱动,新兴应用场景打开增量空间
英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中,计划将原本使用的硅基中间基板更换为碳化硅中间基板。这一细分领域的变化可能使碳化硅在高性能计算领域的渗透速度超出市场此前对新能源汽车单一驱动的预期。
除了深度参与英伟达Rubin架构带来的先进封装变革,公司产品在数据中心电源、光伏储能等领域的渗透也在加速。此外,基于碳化硅衬底的TF-SAW滤波器适配5G与AloT,预计2030年市场规模将达52亿美元。公司已与全球前十大功率半导体巨头中的一半以上建立合作,优质的客户粘性确保了产能释放后的订单支撑。
图 17:6 英寸导电型碳化硅衬底材料
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图 18:8 英寸导电型碳化硅衬底材料
资料来源:公司官网,天风证券研究所
二、全球衬底第二大厂商,技术大尺寸化构筑核心壁垒
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资料来源:公司官网,天风证券研究所
公司在碳化硅衬底领域深耕十余年,技术实力位居全球第一梯队。截至2025年底,公司研发人员硕博占比达37.43%,持续加码研发投入使产品从2英寸快速迭代至12英寸。
在产业化方面,公司实现了2022-2024年总产能从7.5万片向42万片的跨越式增长,且产能利用率长期保持在90%以上的高位。特别是8英寸衬底已稳定交付全球量产级客户,12英寸产品的首发进一步巩固了其作为全球龙头的先发优势。
图 21:公司生产基地详情(截至 2025 年 3 月 31 日)
| 生产基地 | 位置 | 总建筑面积(平方米) | 主要产品 |
|---|---|---|---|
| 山东生产基地 | 济南及济宁 | 69,732 | 碳化硅衬底 |
| 上海生产基地 | 上海 | 93,897 | 碳化硅衬底 |
资料来源:公司公告,天风证券研究所
随着生产基地自动化程度提高及产品向更高价值量的算力芯片基板倾斜,毛利率存在回升潜力。分析师预计行业至2030年的复合增长率将达37.1%,公司作为头部玩家,有望持续跑赢行业增速。
图 13:全球碳化硅衬底市场规模,按销售收入计(十亿人民币)
| 年份 | 半绝缘型碳化硅衬底 | 导电型碳化硅衬底 |
|---|---|---|
| 2020 | 1.3 | 1.8 |
| 2021 | 1.5 | 2.4 |
| 2022 | 1.7 | 3.4 |
| 2023 | 2 | 5.4 |
| 2024 | 2.2 | 6.6 |
| 2025E | 2.6 | 8.7 |
| 2026E | 3.3 | 12 |
| 2027E | 4.1 | 16.3 |
| 2028E | 5.3 | 22.7 |
| 2029E | 6.6 | 33.1 |
| 2030E | 8.4 | 50.1 |

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